三星电子株式会社金昇辰获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010781737.7，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权制造半导体器件的方法是由金昇辰;李炳铉;崔允荣;金兑奎;全喜淑;崔辅友;洪贤实设计研发完成，并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：可以提供一种制造半导体器件的方法，该方法包括：准备包括晶片内部区域和晶片边缘区域的基板，该晶片内部区域包括芯片区域和划片槽区域；在基板上依次堆叠模制层和支撑层；在支撑层上形成第一掩模层，第一掩模层包括在晶片边缘区域上的第一台阶区域；在第一台阶区域上形成台阶差补偿图案；在第一掩模层和台阶差补偿图案上形成包括开口的第二掩模图案；以及使用第二掩模图案作为蚀刻掩模依次蚀刻第一掩模层、支撑层和模制层以在至少模制层中形成多个孔。
本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 准备包括晶片内部区域和晶片边缘区域的基板，所述晶片内部区域包括芯片区域和划片槽区域； 在所述基板上依次堆叠模制层和支撑层； 在所述支撑层上形成第一掩模层，所述第一掩模层包括在所述晶片边缘区域上的第一台阶区域； 在所述第一台阶区域上形成台阶差补偿图案，所述台阶差补偿图案暴露所述晶片内部区域上的所述第一掩模层的顶表面； 在所述第一掩模层上和在所述台阶差补偿图案上形成包括开口的第二掩模图案；以及 使用所述第二掩模图案作为蚀刻掩模依次蚀刻所述第一掩模层、所述支撑层和所述模制层，以在至少所述模制层中形成多个孔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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