三星电子株式会社裵敏敬获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器设备及其操作方法以及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916129B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010272691.6，技术领域涉及：G11C16/14；该发明授权非易失性存储器设备及其操作方法以及存储系统是由裵敏敬;金泰勋;禹明勋;李奉镕;黄斗熙设计研发完成，并于2020-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器设备及其操作方法以及存储系统在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器设备的操作方法，其中该非易失性存储器设备包括单元串，其中该单元串包括串联在位线与共源极线之间并堆叠在垂直于基板的方向上的多个单元晶体管，该方法包括：对多个单元晶体管中的擦除控制晶体管进行编程；以及在擦除控制晶体管被编程之后，将擦除电压施加到共源极线或位线，并且将擦除控制电压施加到连接到擦除控制晶体管的擦除控制线，其中，擦除控制电压小于擦除电压且大于接地电压，并且其中，擦除控制晶体管在多个单元晶体管中的接地选择晶体管与共源极线之间，或者在多个单元晶体管中的串选择晶体管与位线之间。
本发明授权非易失性存储器设备及其操作方法以及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器设备的操作方法，其中所述非易失性存储器设备包括单元串，其中所述单元串包括串联在位线与共源极线之间并堆叠在垂直于基板的方向上的多个单元晶体管，所述方法包括： 对所述多个单元晶体管中的擦除控制晶体管进行编程；以及 在所述擦除控制晶体管被编程之后，将擦除电压施加到所述共源极线或所述位线，并且将擦除控制电压施加到连接到所述擦除控制晶体管的擦除控制线， 其中，所述擦除控制电压小于所述擦除电压且大于接地电压，并且 其中，所述擦除控制晶体管在所述多个单元晶体管中的接地选择晶体管与所述共源极线之间，或者在所述多个单元晶体管中的串选择晶体管与所述位线之间。
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