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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111480217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880080451.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体装置是由肥冢纯一;神长正美;岛行德设计研发完成，并于2018-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。以与包含呈现半导体特性的金属氧化物的半导体层的底面接触的方式设置包含氧化物的岛状绝缘层。包含氧化物的绝缘层以与成为半导体层的沟道形成区域的部分接触的方式设置，且不设置在成为低电阻区域的部分中。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一绝缘层； 第二绝缘层； 第三绝缘层； 半导体层； 第一导电层； 第二导电层； 第三导电层； 第四导电层，在所述第一绝缘层之下； 第四绝缘层； 第五绝缘层，在是没有设置所述半导体层的区域的所述第一绝缘层和所述第四导电层重叠的区域中， 其中，所述第二绝缘层在所述第一绝缘层上并具有岛状形状， 所述半导体层具有与所述第二绝缘层的顶面接触的部分以及与所述第一绝缘层的顶面接触的部分，并具有岛状形状， 所述第三绝缘层及所述第一导电层依次层叠在所述半导体层上， 所述第二绝缘层至少设置在所述第一导电层和所述半导体层重叠的区域中， 所述半导体层在沟道长度方向上超过所述第二绝缘层的一对端部而延伸到外侧， 所述半导体层在沟道宽度方向上位于所述第二绝缘层的一对端部的内侧， 所述第三绝缘层在所述沟道宽度方向上与所述第二绝缘层的侧面接触， 所述第二导电层及所述第三导电层彼此分开，所述第二绝缘层夹在所述第二导电层及所述第三导电层之间， 所述第二导电层及所述第三导电层各自在没有设置所述第二绝缘层的区域中与所述半导体层接触， 所述第四导电层具有与所述半导体层、所述第一导电层及所述第二绝缘层重叠的区域， 所述半导体层包含金属氧化物， 所述第一绝缘层包含金属氧化物或氮化物， 所述第二绝缘层及所述第三绝缘层包含氧化物， 所述第四绝缘层覆盖所述第二绝缘层、所述半导体层、所述第三绝缘层及所述第一导电层， 所述第四绝缘层具有在没有设置所述第二绝缘层的区域中与所述半导体层的顶面的一部分接触的部分以及在所述半导体层的端部的外侧与所述第一绝缘层接触的部分， 所述第四绝缘层包含金属氧化物或氮化物， 并且所述第五绝缘层位于与所述第二绝缘层相同的面上，并包含与所述第二绝缘层相同的材料。

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