深圳市意达微电子有限公司秦云鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市意达微电子有限公司申请的专利一种散热更佳的场效应管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829823U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520208004.2，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种散热更佳的场效应管是由秦云鹏设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种散热更佳的场效应管在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种散热更佳的场效应管，包括MOS管主体，所述MOS管主体具有封装在一外部封装结构内的封装部，外部封装结构内还封装有伸出外部封装结构底部外的可插入电路板上对应的孔洞内的三个引脚，MOS管主体的上部是伸出外部封装结构顶面上方的伸出部，所述MOS管主体在伸出部和封装部之间是裸露在外部封装结构外的裸露部，裸露部表面具有凸台或者凹槽；该散热更佳的场效应管增加了裸露在外的面积，让散热效果更佳。
本实用新型一种散热更佳的场效应管在权利要求书中公布了：1.一种散热更佳的场效应管，包括MOS管主体，所述MOS管主体具有封装在一外部封装结构内的封装部，外部封装结构内还封装有伸出外部封装结构底部外的可插入电路板上对应的孔洞内的三个引脚，MOS管主体的上部是伸出外部封装结构顶面上方的伸出部，其特征在于：所述MOS管主体在伸出部和封装部之间是裸露在外部封装结构外的裸露部，裸露部表面具有凸台或者凹槽。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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