上海积塔半导体有限公司王超莹获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利晶圆加热装置及半导体设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829773U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520007231.9，技术领域涉及：H10P72/00；该实用新型晶圆加热装置及半导体设备是由王超莹;拉海忠;闫晓晖设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆加热装置及半导体设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种晶圆加热装置及半导体设备，用于承载晶圆并对其加热；该晶圆加热装置包括加热盘和加热电缆；加热盘的上表面用于承载晶圆，下表面具有螺旋盘绕的电缆槽；加热电缆，对应嵌设于电缆槽内；其中，加热电缆以加热盘的几何中心呈中心对称；靠近加热盘中心的各加热电缆之间在加热盘的径向上的间距大于远离加热盘中心的各加热电缆之间在加热盘的径向上的间距。本申请有利于提高晶圆在加热过程中的温度均匀性，从而有利于形成厚度均匀的工艺薄膜，进而有利于提高晶圆的电学性质。
本实用新型晶圆加热装置及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆加热装置，其特征在于，用于承载晶圆并对其加热；所述晶圆加热装置包括： 加热盘；所述加热盘的上表面用于承载所述晶圆，下表面具有螺旋盘绕的电缆槽； 加热电缆，对应嵌设于所述电缆槽内； 其中，所述加热电缆以所述加热盘的几何中心呈中心对称；靠近所述加热盘中心的各所述加热电缆之间在所述加热盘的径向上的间距大于远离所述加热盘中心的各所述加热电缆之间在所述加热盘的径向上的间距。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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