力智电子股份有限公司吉田圭佑获国家专利权
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龙图腾网获悉力智电子股份有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223829698U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520113607.4，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型半导体器件是由吉田圭佑;周明弘;平野有一设计研发完成，并于2025-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种具有低导通电阻和减少的漏电流的半导体器件，其包括半导体衬底、外延层、主体层、源极掺杂区以及第一导电层。外延层设置于半导体衬底上，且具有第一导电类型。外延层包括第一区域以及第二区域。第一区域包括具有第一掺杂浓度的第一漂移区及具有第二掺杂浓度的第二漂移区，其中第二掺杂浓度不等于第一掺杂浓度。第二区域与第一区域相邻且包括具有第三掺杂浓度的第三漂移区，其中第三掺杂浓度等于第一掺杂浓度。主体层设置于第二漂移区中，且具有第二导电类型，第二导电类型与第一导电类型相反。源极掺杂区设置于主体层中。第一导电层设置于外延层上，且直接接触外延层的第二区域的表面，并与源极掺杂区电性连接。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体衬底； 外延层，设置于所述半导体衬底上，且具有第一导电类型，其中所述外延层包括： 第一区域，包括具有第一掺杂浓度的第一漂移区及具有第二掺杂浓度的第二漂移区，其中所述第二掺杂浓度不等于所述第一掺杂浓度；以及 第二区域，与所述第一区域相邻且包括具有第三掺杂浓度的第三漂移区，其中所述第三掺杂浓度等于所述第一掺杂浓度； 主体层，设置于所述第二漂移区中，且具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反； 源极掺杂区，设置于所述主体层中，且具有所述第一导电类型；以及 第一导电层，设置于所述外延层上，且直接接触所述外延层的所述第二区域的表面，并与所述源极掺杂区电性连接。
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