安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司袁子凡获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种SRAM单元、SRAM电路和存储器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223828233U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520403494.1，技术领域涉及：G11C11/412；该实用新型一种SRAM单元、SRAM电路和存储器是由袁子凡;朱名杰设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SRAM单元、SRAM电路和存储器在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种SRAM单元、SRAM电路和存储器，包括10个MOS管，分别为M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9和M10；M1、M3、M5、M6、M7、M8和M10为NMOS，M2、M4和M9为PMOS。该SRAM单元可以称为10TSRAM。10TSRAM是在现有的6TSRAM基础上增加4个MOS管得到的。10TSRAM在读写数据时，类似8TSRAM，10TSRAM的读写速度比8TSRAM的读写速度略慢，但是比6TSRAM的读写速度快。10TSRAM进行组合后，可以直接用于复制数据，复制数据时不再需要ALU，明显提高了复制数据的速度。
本实用新型一种SRAM单元、SRAM电路和存储器在权利要求书中公布了：1.一种SRAM单元，其特征在于，包括10个MOS管，分别为M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9和M10；M1、M3、M5、M6、M7、M8和M10为NMOS，M2、M4和M9为PMOS； M1的栅极分别与M2的栅极、M4的源极、M3的漏极、M10的栅极连接，M1的漏极与M8的源极连接，M1的源极和M3的源极分别与第一接地端连接； M2的漏极和M4的漏极分别与高电平VDD连接，M2的源极与M9的漏极连接； M3的栅极分别与M4的栅极、M9的源极、M8的漏极、M5的漏极、M7的漏极连接； M5的栅极与字线WL连接，M5的源极与位线BL连接； M6的栅极与读字线RWL连接，M6的漏极与读位线RBL连接，M6的源极与M10的漏极连接； M7的栅极与控制信号线CA连接，M7的源极与接线端CC连接； M8的栅极与控制信号线CB连接； M9的栅极与控制信号线CD连接； M10的源极与第二接地端连接。
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