江苏第三代半导体研究院有限公司牛文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种氮化铝生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223823735U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520690947.3，技术领域涉及：C30B23/02；该实用新型一种氮化铝生长装置是由牛文杰;齐海涛;刘宗亮设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化铝生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种氮化铝生长装置，包括：坩埚、设置于坩埚中部的原料埚组件以及沿纵向分别配置于原料埚组件上下两侧的第一固定结构与第二固定结构；其中，原料埚组件将坩埚的内腔分隔为沿纵向排布且相互连通的第一升华区与第二升华区；原料埚组件包括原料埚，原料埚用于盛放氮化铝原料；第一固定结构用于固定第一籽晶并将第一籽晶的生长面暴露于第一升华区；第二固定结构用于固定第二籽晶并将第二籽晶的生长面暴露于第二升华区。本实用新型所揭示的氮化铝生长装置，实现了单炉次同时生长两颗氮化铝晶锭，提高生产效率。
本实用新型一种氮化铝生长装置在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝生长装置，其特征在于，包括：坩埚、设置于所述坩埚中部的原料埚组件以及沿纵向分别配置于所述原料埚组件上下两侧的第一固定结构与第二固定结构； 其中，所述原料埚组件将所述坩埚的内腔分隔为沿纵向排布且相互连通的第一升华区与第二升华区； 所述原料埚组件包括原料埚，所述原料埚用于盛放氮化铝原料； 所述第一固定结构用于固定第一籽晶并将所述第一籽晶的生长面暴露于所述第一升华区；所述第二固定结构用于固定第二籽晶并将所述第二籽晶的生长面暴露于所述第二升华区。
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