上海积塔半导体有限公司何朋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种用于薄膜沉积的反应腔室及薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223823695U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520302364.9，技术领域涉及：C23C16/44；该实用新型一种用于薄膜沉积的反应腔室及薄膜沉积设备是由何朋;单翌;闫晓晖设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于薄膜沉积的反应腔室及薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种用于薄膜沉积的反应腔室及薄膜沉积设备，所述反应腔室内设有可运动加热组件1和中空屏蔽环4；所述中空屏蔽环4悬空固定于所述反应腔室内，且外周与反应腔室匹配连接，所述中空屏蔽环将所述反应腔室分为位于其上方的储备部2和位于其下方的储备部9；所述可运动加热组件1包括加热件11、旋转轴12和驱动部件13，所述驱动部件13用于驱动所述旋转轴12自转；所述加热件11与所述旋转轴12连接，以使得所述加热件11随着所述旋转轴12的自转做周向旋转运动。使得反应腔室在预防性维护后得到更充分的烘烤加热，大幅度提高了反应腔室的烘烤效率，缩短了整体复机时间。
本实用新型一种用于薄膜沉积的反应腔室及薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种用于薄膜沉积的反应腔室，其特征在于，所述反应腔室内设有可运动加热组件1和中空屏蔽环4；所述中空屏蔽环4悬空固定于所述反应腔室内，且外周与反应腔室匹配连接，所述中空屏蔽环将所述反应腔室分为位于其上方的反应部2和位于其下方的储备部9；所述可运动加热组件1包括加热件11、旋转轴12和驱动部件13，所述驱动部件13用于驱动所述旋转轴12自转；所述加热件11与所述旋转轴12连接，以使得所述加热件11随着所述旋转轴12的自转做周向旋转运动；所述旋转轴12贯穿所述反应腔室设置；所述加热件11设于所述储备部9内且靠近所述反应部2设置。
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