武汉脑电传感器科技有限公司杨健获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉脑电传感器科技有限公司申请的专利模拟打鼾系统获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223817549U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423146957.5，技术领域涉及：A61B5/00；该实用新型模拟打鼾系统是由杨健;刘万华设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本模拟打鼾系统在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种模拟打鼾系统，属于人体生理信号检测技术领域，其包括：用于模拟表面皮肤的外层硅胶、用于模拟颈部肌肉的内层硅胶和振动马达，振动马达放置在内层硅胶中，内层硅胶，包括：内层硅胶的外曲面和内层硅胶的底面，内层硅胶的底面到内层硅胶的外曲面的高度为0‑4mm，外层硅胶，包括：外层硅胶内曲面和外层硅胶外曲面，外层硅胶内曲面与内层硅胶外曲面紧密贴合，外层硅胶内曲面到外层硅胶外曲面的高度为0‑2mm。本实用新型通过外层硅胶模拟人体皮肤，内层硅胶模拟人体肌肉组织，振动马达模拟人体打鼾振动来准确实现模拟打鼾，模拟打鼾系统启动之后可以自发进行，在模拟过程中不需要人工参与，消除因人工参与而产生的误差。
本实用新型模拟打鼾系统在权利要求书中公布了：1.一种模拟打鼾系统，其特征在于，包括：用于模拟表面皮肤的外层硅胶、用于模拟颈部肌肉的内层硅胶和振动马达；振动马达放置在内层硅胶中； 内层硅胶，包括：内层硅胶的外曲面和内层硅胶的底面；内层硅胶的底面到内层硅胶的外曲面的高度为0-4mm； 外层硅胶，包括：外层硅胶内曲面和外层硅胶外曲面；外层硅胶内曲面与内层硅胶外曲面紧密贴合，外层硅胶内曲面到外层硅胶外曲面的高度为0-2mm。
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