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龙图腾网获悉内蒙古工业大学申请的专利一种大面积制备的Aurivillius相铁电薄膜及其方法与用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121108787B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511650128.7，技术领域涉及：C09D1/00；该发明授权一种大面积制备的Aurivillius相铁电薄膜及其方法与用途是由陈介煜;姜琛;唐哲红;马文;刘全龙;周云鹏;白玉;郭飞设计研发完成，并于2025-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种大面积制备的Aurivillius相铁电薄膜及其方法与用途在说明书摘要公布了：本发明公开一种大面积制备的Aurivillius相铁电薄膜及其方法与用途，该薄膜为面积为厘米至米级的Na0.50.5Bi5.55.5Ti4.54.5Mg0.50.5O1818相铁电薄膜。其制备方法为：步骤一、利用乙二醇甲醚作为溶剂配制Aurivillius相铁电薄膜前驱液，制得前驱液以Na0.50.5Bi5.55.5Ti4.54.5Mg0.50.5O1818计算的浓度为0.08molL~0.12molL；步骤二、将基底A进行表面预处理，得到基底B；步骤三、将前驱液刮涂在基底B上形成湿膜后，再用风刀将其吹平；步骤四、将步骤三得到的湿膜依次经过低温烘干区域、中温热解区域和高温结晶区域进行退火处理；步骤五、重复步骤二~步骤四m次，得到的Aurivillius相铁电薄膜为面积为厘米至米级的Na0.50.5Bi5.55.5Ti4.54.5Mg0.50.5O1818相铁电薄膜。本发明工艺简单，原料易得，成本低廉，易于实施，可以大面积制备出Aurivillius相铁电薄膜，并具有可观的可回收储能密度和效率。

本发明授权一种大面积制备的Aurivillius相铁电薄膜及其方法与用途在权利要求书中公布了：1.一种大面积制备Aurivillius相铁电薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、利用乙二醇甲醚作为溶剂配制Aurivillius相铁电薄膜的前驱液，制得的前驱液以Na0.5Bi5.5Ti4.5Mg0.5O18计算的浓度为0.08molL~0.12molL； 步骤二、将基底A进行表面预处理，得到基底B，待用； 步骤三、将前驱液刮涂在基底B上形成湿膜后，再用风刀将其吹平； 步骤四、将步骤三得到的湿膜依次经过低温烘干区域、中温热解区域和高温结晶区域进行退火处理； 步骤五、重复步骤二~步骤四m次，得到的Aurivillius相铁电薄膜是面积为厘米至米级的Na0.5Bi5.5Ti4.5Mg0.5O18相铁电薄膜； 步骤三中，刮涂时采用刮刀尺寸为5~20cm，刮刀与基底A的间距为100~400μm，刮涂温度为20℃~30℃，刮涂速度为2~20mms，风刀采用空气风刀或氮气风刀，压力为0.02~0.1MPa，风刀移动速度为2~20mms； 步骤四中，采用快速退火工艺，将湿膜置于三温区退火炉进行退火处理，三个温区分别对应薄膜的烘干、热解、结晶，具体参数为： 烘干阶段：烘干温度为260℃~320℃，烘干时间为2.5~3.5min； 热解阶段：热解温度为420℃~480℃，热解时间为3~5min； 结晶阶段：结晶温度为650~750℃，在结晶时通入氧气，氧气束流的流速为0.1~0.3Lmin； 其中，在第1次至第m-1次结晶时间为4~6min，在第m次退火时，结晶时间为8~12min；m的取值范围为8~12； 步骤二中，所述基底A为LNOSiO2Si111基底或LNOSiO2Si110基底； 步骤二中，表面预处理的方法为：将基底A置于氧离子等离子体处理仪中进行表面等离子体处理或者将基底A置于退火炉中在氧气气氛下进行快速退火处理。

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