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龙图腾网获悉芯辰半导体(苏州)有限公司申请的专利一种基于拓扑边界态的光子晶体激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121097506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511665123.1，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种基于拓扑边界态的光子晶体激光器是由陈恩生;杨超;王又子;莫敏玲设计研发完成，并于2025-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于拓扑边界态的光子晶体激光器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于拓扑边界态的光子晶体激光器，涉及半导体光电子器件技术领域，包括：衬底；缓冲层；下层区超晶格光子晶体；有源区；上层区超晶格光子晶体；盖层；接触层；其中，下层区超晶格使用两种半导体材料按一定尺寸交替生长而成，周期单元里包含两层结构；上层区超晶格使用两种或三种半导体材料按一定尺寸交替生长而成，周期单元里包含三层结构。本申请通过改变周期单元里各材料的厚度占比，改变光子能带的拓扑性质，将不同拓扑性质能带对应的超晶格光子晶体结合，可产生特定的光子界面态，从而增大品质因子并减小光场的模式体积，实现能量的集中，更好地实现光场的增益，进而在光电集成器件中更好地实现后续对光的调制。

本发明授权一种基于拓扑边界态的光子晶体激光器在权利要求书中公布了：1.一种基于拓扑边界态的光子晶体激光器，其特征在于，包括： 衬底； 缓冲层，设置于所述衬底上； 下层区超晶格光子晶体，设置于所述缓冲层上； 有源区，设置于所述下层区超晶格光子晶体上； 上层区超晶格光子晶体，设置在所述有源区上； 盖层，设置在所述上层区超晶格光子晶体上； 接触层，设置于所述盖层上； 所述下层区超晶格光子晶体包括多层下层光子晶体周期单元，所属每层下层光子晶体周期单元包括：下层区高折射率层；以及 下层区低折射率层，设置在所述下层区高折射率层上，多个所述下层光子晶体周期单元重复排列； 所述上层区超晶格光子晶体，包括多层上层光子晶体周期单元，所属每层上层光子晶体周期单元包括： 上层区低折射率层一；以及 上层区高折射率层，设置在所述上层区低折射率层一上；以及 上层区低折射率层二，设置在所述上层区高折射率层上，多个所述上层光子晶体周期单元重复排列； 所述下层区超晶格光子晶体和或所述上层区超晶格光子晶体中至少一个周期单元的至少一层包含相变材料，所述相变材料的物相状态可响应外部激励而改变，从而可调谐所述拓扑边界态光子晶体激光器结构的光子能带拓扑性质； 所述一种基于拓扑边界态的光子晶体激光器，还包括一控制结构，所述控制结构与所述相变材料耦合，并被配置为向所述相变材料施加电学或光学激励，以可控地诱导所述相变材料在非晶态和晶态之间发生至少一次相变； 所述相变材料被划分为多个可独立寻址的单元，并且所述控制结构还包括处理单元，所述处理单元被配置为：响应于目标光学功能的输入，基于稀疏重构算法，确定用以实现所述目标光学功能的、需要改变物相状态的最少数量的所述可独立寻址单元的组合；以及，生成并输出控制信号，以驱动所述控制结构仅对所述组合中的单元施加激励。

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