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龙图腾网获悉研微(江苏)半导体科技有限公司申请的专利制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121087464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511643047.4，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构是由许正昱;韩萍;何忧设计研发完成，并于2025-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构。该方法包括：在等离子体环境下向基板表面提供混合物，混合物包括烷基硅氧烷前驱体和致孔剂，混合物用于在基板表面生成薄膜，混合物具有第一供应参数；向基板表面提供含氧气体，含氧气体具有第二供应参数；从当前薄膜中获取第一薄膜取样并测量第一薄膜厚度；采用UV照射基板，以移除致孔剂的至少一部分形成具有孔隙的低介电常数薄膜；从低介电常数薄膜中获取第二薄膜取样并测量第二薄膜厚度、薄膜机械强度和介电常数k值；判断低介电常数薄膜是否满足预设工艺结果，响应于判断结果为不满足，调整第一供应参数、第二供应参数、工艺腔室的环境参数和UV参数中的任意个。

本发明授权制备低介电常数薄膜的方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种制备低介电常数薄膜的方法，其特征在于，包括： 在等离子体环境下向基板表面提供混合物，所述混合物包括烷基硅氧烷前驱体和致孔剂，所述混合物用于在所述基板表面生成薄膜，所述薄膜包括含Si-O-Si的薄膜骨架、烷烃末端CmH2m+1和所述致孔剂，其中，所述混合物的第一供应参数包括所述烷基硅氧烷前驱体的流量和或所述致孔剂的流量，m是大于等于1的正整数； 向所述基板表面提供含氧气体，对所述薄膜骨架进行氧掺杂，其中，所述含氧气体的第二供应参数包括含氧气体流量和或含氧气体流速； 从当前薄膜中获取第一薄膜取样并测量第一薄膜厚度； 采用UV照射所述基板，以移除所述致孔剂的至少一部分，形成具有孔隙的低介电常数薄膜； 从所述低介电常数薄膜中获取第二薄膜取样并测量第二薄膜厚度、薄膜机械强度和介电常数k值； 判断所述低介电常数薄膜是否满足预设工艺结果，其中，所述预设工艺结果包括：薄膜坍缩率、所述薄膜机械强度和所述介电常数k值，所述薄膜坍缩率由所述第一薄膜厚度和所述第二薄膜厚度决定；以及 响应于判断结果为不满足，调整所述第一供应参数、所述第二供应参数、工艺腔室的环境参数和UV参数中的任意个，其中，所述环境参数包括等离子体发生装置的功率、腔室内温度和腔室内压力中的任意个，所述UV参数包括UV的照射参数。

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