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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种光电探测成像集成芯片及其使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057330B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511586860.2，技术领域涉及：H10F55/15；该发明授权一种光电探测成像集成芯片及其使用方法是由王新强;陈兆营;王岩;夏子彦;刘放;袁泽兴;马超凡设计研发完成，并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电探测成像集成芯片及其使用方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电探测成像领域，提供了一种光电探测成像集成芯片及其使用方法，芯片包括：下基板、发光二极管阵列、光电探测器阵列、第一绝缘层、第一键合层、第二绝缘层、第二键合层、电极互连层、上基板；光电探测器阵列的单元与发光二极管阵列的单元一一对应连接，其中，每个光电探测器阵列单元由若干互连的分区构成；本发明通过光电探测器阵列与发光二极管阵列的像元级精准键合，实现了对探测目标光信号的直接成像；通过光电探测器阵列单元的多分区互连设计，实现了发光二极管阵列的自驱动成像，提高了光电探测成像设备的续航能力与环境适应性。

本发明授权一种光电探测成像集成芯片及其使用方法在权利要求书中公布了：1.一种光电探测成像集成芯片，其特征在于，包括：下基板、发光二极管阵列、光电探测器阵列、第一绝缘层、第一键合层、第二绝缘层、第二键合层、电极互连层、上基板；所述光电探测器阵列的单元包括L个分区；其中，L为大于1的整数； 所述发光二极管阵列的单元和所述光电探测器阵列的单元一一对应连接； 所述发光二极管阵列位于所述下基板上；所述发光二极管阵列的单元呈台面形，所述发光二极管阵列的单元包括：第一N型导电层、发光层、第一P型导电层、第一P型电极层、第一N型电极层；所述第一绝缘层覆盖在所述发光二极管阵列上；所述第一绝缘层具有若干个通孔，所述第一绝缘层的通孔位于所述第一P型电极层、所述第一N型电极层上；所述第一键合层位于所述第一P型电极层、所述第一N型电极层上的所述第一绝缘层的通孔中；所述光电探测器阵列位于所述上基板下；相邻所述分区间具有隔离区；所述分区呈台面形，所述分区包括：第二N型导电层、光吸收层、第二P型导电层、第二P型电极层、第二N型电极层； 所述第二绝缘层覆盖在所述光电探测器阵列下；所述第二绝缘层具有若干个通孔，所述第二绝缘层的通孔位于所述第二P型电极层、所述第二N型电极层下； 所述第二键合层位于第一个所述分区的所述第二P型电极层和第L个所述分区的所述第二N型电极层下的所述第二绝缘层的通孔中；所述第二键合层位于所述第一键合层上；所述第二P型电极层下的所述第二键合层与所述第一P型电极层上的所述第一键合层一一对应连接；所述第二N型电极层下的所述第二键合层与所述第一N型电极层上的所述第一键合层一一对应连接； 所述电极互连层通过所述第二绝缘层的通孔连接第M个所述分区的所述第二P型电极层与第M-1个所述分区的所述第二N型电极层，其中，2≤M≤L。

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