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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121057314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511605885.2，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用是由于远方;唐森垚;王羽凡;高丽;金晓锐;龚嘉欣;蒋楠杰;王玮奇设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种Weyl半金属TMDC异质结光电探测器及其应用，属于光电器件技术领域。该光电探测器包括衬底和在其上依次设置的TMDC材料层、Weyl半金属材料层和薄膜电极，其中，TMDC材料层和Weyl半金属材料层构成范德华异质结；此器件可通过偏压控制实现光伏和光电导模式的切换；依托这一特性，基于单个该光电探测器，在偏压调控与单波长光束激发下即可实现同或逻辑运算；据此，本发明进一步提出一种图像加密与解密方法，该方法通过图像编码生成偏压序列，结合密钥矩阵形成的激光序列，利用同或逻辑运算对图像信息进行多重加密，能显著提升信息传输的隐蔽性与安全性，为未来安全通信技术发展提供新路径。

本发明授权一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于Weyl半金属TMDC异质结光电探测器进行通信加密的方法，其特征在于，所述光电探测器包括衬底和在其上依次设置的TMDC材料层、Weyl半金属材料层及薄膜电极，TMDC材料层和Weyl半金属材料层构成范德华异质结； 所述TMDC材料层的材料为WS2或MoS2，所述Weyl半金属材料层的材料为PtTe2或MoTe2；TMDC材料层的厚度为3~7nm，Weyl半金属材料层的厚度为35~60nm； 所述光电探测器在正负偏压控制下实现光伏和光电导模式的切换； 通信加密过程为： 1依据偏压极性和激光开关状态这两个变量，通过同或逻辑运算定义输出： 定义激光开为“1”、激光关为“0”，正偏压为“0”、负偏压为“1”； 当两个输入变量相同时输出为“1”、且对应高电流水平；两个输入变量不同时输出为“0”、且对应低电流水平； 其中，电流绝对值满足|Ids|≤1×10-12A或1×10-10A≤|Ids|≤5.1×10-10A时定义为高电流水平、对应输出“1”；电流绝对值满足1×10-12A|Ids|1×10-10A或|Ids|5.1×10-10A时定义为低电流水平、对应输出“0”； 2将原始图像分割为方块阵列，按有图形像素点记为1、无图形像素点记为0的规则编码为二进制矩阵，作为偏压序列； 3生成与偏压序列长度相同的密钥矩阵，作为激光序列； 4使用偏压、激光序列同步调控探测器，生成光电流序列； 5将光电流序列按照步骤1定义的同或逻辑转换为二进制数序列，再按图像编码规则还原为加密图像； 7解密时，根据加密图像和图像编码规则还原密码序列，与密钥矩阵进行同或逻辑运算，得到原始二进制序列，最终还原原始图像。

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