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龙图腾网获悉常州臻晶半导体有限公司申请的专利碳化硅单晶生长装置及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121046957B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511589170.2，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权碳化硅单晶生长装置及其工作方法是由钱昊;柯尊斌;尹祖荣;王晗;陆敏设计研发完成，并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅单晶生长装置及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体涉及高温溶液法的碳化硅晶体生长，尤其涉及一种碳化硅单晶生长装置及其工作方法。其中，碳化硅单晶生长装置，包括：石墨坩埚；加热组件；驱动机构；籽晶提拉组件；石墨导流板，其设置在所述石墨坩埚的上方，且所述籽晶提拉组件的提拉杆穿过所述石墨导流板；在籽晶生长时，所述石墨导流板与外部惰性气源连通，且用于将惰性气体持续通入到籽晶提拉组件中，对粘接在籽晶提拉组件底部的籽晶进行散热。通过在籽晶提拉组件中通入流动的惰性气体，持续给籽晶提拉组件底部的籽晶进行散热，从而增加籽晶与固液界面的温度梯度，从而提高生长驱动力实现晶体快速生长。

本发明授权碳化硅单晶生长装置及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅单晶生长装置，其特征在于，包括： 石墨坩埚100，其用于盛放原料； 加热组件200，其设置在所述石墨坩埚100的四周和顶部，且用于给所述石墨坩埚100进行加热； 驱动机构300，其设置在所述石墨坩埚100的下方，且用于带动所述石墨坩埚100旋转； 籽晶提拉组件400，其设置在所述石墨坩埚100的上方，且用于晶体生长； 石墨导流板500，其设置在所述石墨坩埚100的上方，且所述籽晶提拉组件400的提拉杆410穿过所述石墨导流板500； 在籽晶700生长时，所述石墨导流板500与外部惰性气源连通，且用于将惰性气体持续通入到籽晶提拉组件400中，对粘接在籽晶提拉组件400底部的籽晶700进行散热； 所述石墨导流板500包括： 板本体510，其中部开设有用于所述提拉杆410穿过的穿孔520； 且，所述板本体510沿所述穿孔520向下延伸出气流环530； 所述板本体510沿径向开设有多个与所述穿孔520连通的气道540，以将外部惰性气源的惰性气体通入到气流环530中，以对粘接在籽晶提拉组件400底部的籽晶700进行散热。

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