北京石墨烯研究院;北京大学刘忠范获国家专利权
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龙图腾网获悉北京石墨烯研究院;北京大学申请的专利一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121046824B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511604157.X，技术领域涉及：C23C16/54；该发明授权一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法是由刘忠范;孙晓波;陈步航;朱安邦;李勤;董严严;张文平;吴承锦;时畅;孙禄钊设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法。利用立式卷对卷技术，将铜丝紧固于下方放卷腔室的放卷转轴，使其始端自下而上穿过管式炉体并固定于上方收卷腔室的收卷转轴，在收卷端施加特定范围的张力，以10mmmin‑100mmmin的卷绕速度运行，并沿铜丝运行方向施加特定温度梯度，促进铜单晶晶粒持续长大；同时向腔室内通入碳源气体，通过化学气相沉积方式进行铜丝表面石墨烯的生长，连续生长完成后，得到蒙烯单晶铜丝材料。在此过程中同时实现了铜丝单晶化及其表面石墨烯的包覆，制得的蒙烯单晶铜丝材料的电导率相比原始铜丝有大幅度的提升。
本发明授权一种蒙烯单晶铜丝材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种蒙烯单晶铜丝材料的连续化制备方法，包括以下步骤：利用立式卷对卷技术，将铜丝紧固于下方放卷腔室的放卷转轴，使其始端自下而上穿过管式炉体并固定于上方收卷腔室的收卷转轴，在收卷端施加特定范围的张力，在一定的卷绕速度下，沿铜丝运行方向施加特定温度梯度，促进铜单晶晶粒持续长大；同时向腔室内通入碳源气体，通过化学气相沉积CVD方式进行石墨烯生长，连续生长完成后，得到蒙烯单晶铜丝材料； 其中，CVD生长温度≥940℃，铜丝直径为200~400μm时，收卷端施加的张力F满足8mN≤F≤0.3N； CVD生长温度≥940℃，铜丝直径为50~100μm，收卷端施加的张力F满足0.5mN≤F≤0.02N； 所述卷绕速度R满足10mmmin≤R≤100mmmin； 沿着铜丝的运行方向，温度梯度升高，所述温度梯度为0.5~4℃cm，最高温度为980~1040℃。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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