杭州树芯电子科技有限公司刘刚获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州树芯电子科技有限公司申请的专利一种超高频薄膜体声波器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121012454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511547856.5，技术领域涉及：H03H3/02；该发明授权一种超高频薄膜体声波器件的制备方法是由刘刚;穆丹宇;阮建桦;马宏伟设计研发完成，并于2025-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超高频薄膜体声波器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超高频薄膜体声波器件的制备方法，该制备方法能够在第一压电层的背面形成第二压电层，使得第一压电层和第二压电层的生长方向相反，从而不需要引入外电场或其他材料诱导就能够高效、简单的得到上下极化的压电层，同时由于键合转移的方法，本发明能够将第一压电层的过渡层去除，从而提升第一压电层的薄膜质量，提升极化效果。
本发明授权一种超高频薄膜体声波器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超高频薄膜体声波器件的制备方法，其特征在于，包括： 在第一衬底上依次形成阻挡层、第一压电层、第一电极层、第一电极保护层和牺牲层，在第一压电层、第一电极保护层和牺牲层上形成第一待键合层； 在第二衬底上形成第二待键合层，键合所述第二待键合层和第一待键合层形成键合层； 腐蚀掉所述阻挡层以便于实现第一衬底的脱落，然后减薄第一压电层，在减薄的第一压电层上形成第二压电层，所述第二压电层的生长方向与第一压电层的生长方向相反； 在所述第二压电层上依次形成第二电极和第二电极保护层，暴露第一、第二电极，在暴露的第一电极和第二电极上形成金属pad层，然后腐蚀牺牲层形成空腔，从而得到超高频薄膜体声波器件。
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