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龙图腾网获悉苏州晨晖智能设备有限公司申请的专利一种隐栅晶体硅光伏电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001462B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511526465.5，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权一种隐栅晶体硅光伏电池及其制备方法是由闫洪嘉;李涛勇设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种隐栅晶体硅光伏电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种隐栅晶体硅光伏电池及其制备方法，通过在晶体硅活性层或栅线间部分隐藏不透明导体电极栅线以减少金属遮光。包含四种结构：结构1在受光面设置两层相互遮盖重叠≥13的电极栅线降低直接光遮挡；结构2由不同导电类型硅片键合形成pn结，第一、第三电极栅线连接对应硅片并部分隐藏于键合界面或硅层中；结构3由相同导电类型硅片键合，第一、第二电极栅线连接对应硅区并部分隐藏于键合面；结构4由相同导电类型硅片键合，第四、第五电极栅线连接对应硅区实现多pn结并联与键合，栅线均隐藏。各结构有效减少遮光、提升光电转换效率。

本发明授权一种隐栅晶体硅光伏电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种隐栅晶体硅光伏电池，包括晶体硅活性层和不透明导体电极栅线，其特征在于，所述不透明导体电极栅线，部分或全部隐藏于所述晶体硅活性层或工作电位不同的不透明导体电极栅线内部，有如下之一的结构： 结构1，所述隐栅晶体硅光伏电池的第一受光面或第二受光面有不透明导体第一电极栅线和第二电极栅线，按栅线网络x-y平面的投影面积计算，13以上的所述第一电极栅线处于所述第二电极栅线遮盖之下，或者13以上的所述第二电极栅线处于所述第一电极栅线遮盖之下； 结构2，所述晶体硅活性层由不同导电类型的第一晶体硅片和第二晶体硅片键合而成，第一电极栅线与所述第一晶体硅片形成欧姆接触，第三电极栅线与所述第二晶体硅片形成欧姆接触，所述第一晶体硅片与所述第二晶体硅片相键合，在键合处形成pn结，在所述第一晶体硅片与所述第二晶体硅片之间至少布有所述第一电极栅线或所述第三电极栅线，键合后的所述晶体硅活性层总厚度≤300μm； 结构3，所述晶体硅活性层由相同导电类型的第一晶体硅片和第二晶体硅片键合而成，在所述第一晶体硅片表面有导电类型互补的第一硅区和第二硅区，所述第一电极栅线与所述第一硅区形成欧姆接触，所述第二电极栅线与所述第二硅区形成欧姆接触，选定所述第一晶体硅片的一个面为键合面，所述第一晶体硅片的键合面有所述第一电极栅线或所述第二电极栅线与之形成欧姆和机械接触，所述第一晶体硅片与所述第二晶体硅片的键合面相键合，在键合处形成欧姆结，所述第一晶体硅片的未键合面形成所述隐栅晶体硅光伏电池的第一受光面，所述第二晶体硅片的未键合面形成所述隐栅晶体硅光伏电池的第二受光面，键合后的所述晶体硅活性层总厚度≤300μm； 结构4，所述晶体硅活性层由相同导电类型的第一晶体硅片和第二晶体硅片键合而成，所述第一晶体硅片的键合面上交替设有导电类型互补的第一硅区和第二硅区，所述第二晶体硅片的键合面上交替设有导电类型互补的第三硅区和第四硅区，第四电极栅线同时与所述第一硅区和所述第三硅区形成欧姆接触和键合；第五电极栅线同时与所述第二硅区和所述第四硅区形成欧姆接触和键合，键合后同时实现所述第一晶体硅片上的pn结与所述第二晶体硅片上的pn结的并联，以及所述第一晶体硅片和所述第二晶体硅片的键合，所述第一晶体硅片和所述第二晶体硅片的键合总厚度≤300μm；所述第一晶体硅片的非键合面和所述第二晶体硅片的非键合面分别是所述隐栅晶体硅光伏电池的第一受光面和第二受光面。

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