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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司北京长城计量测试技术研究所申请的专利一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120999403B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511525370.1，技术领域涉及：H01S5/10；该发明授权一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法是由冯梁森;李维;陈佳旭;李昱东;李小宽;刘雅丽;韩艳晨设计研发完成，并于2025-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法，所述方法包括：在衬底上通过外延生长方法从下至上依次获得n型下包层、n型下波导层、发光的有源区以及p型上波导层，然后利用光刻刻蚀得到回音壁模式微腔；在上波导层进行光刻，制备位于微腔上方的加热层，用于调节微腔中的相位；在上波导层再次光刻，制备加热层的接触电极以及p型电极；生长氧化硅作为绝缘层对波导结构进行保护，并防止短路；再次光刻刻蚀，制备p型电极的接触电极的通孔；对衬底进行减薄和剥离，然后制备n型电极，得到微腔激光器。本发明通过一颗激光器芯片就可以实现激光和光频梳两种模式发射，能够极大提高微腔的品质因子，能够在较低的泵浦功率下实现克尔光频梳。

本发明授权一种微腔光频梳激光器芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微腔光频梳激光器芯片结构的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1：在衬底上通过外延生长方法从下至上依次获得n型下包层、n型下波导层、发光的有源区以及p型上波导层，然后利用光刻或者电子束曝光结合ICP刻蚀或者湿法腐蚀，得到回音壁模式微腔，其中，所述有源区满足增益与损耗、色散与克尔效应的双重平衡，所述回音壁模式微腔用于为激光器的激射提供增益结构，并且利用非线性效应形成克尔光频梳； 步骤S2：在上波导层进行光刻，利用lift-off工艺制备位于微腔上方的加热层，用于调节微腔中的相位； 步骤S3：在上波导层再次光刻，通过lift-off工艺制备加热层的接触电极以及p型电极； 步骤S4：利用ICP-CVD生长氧化硅作为绝缘层对下波导层、有源区、上波导层以及p型电极进行保护，并防止短路； 步骤S5：再次光刻刻蚀，制备p型电极的接触电极的通孔； 步骤S6：对衬底进行减薄和剥离，然后利用电子束蒸发或者磁控溅射制备n型电极，得到具有回音壁模式微腔的激光器芯片结构，所述结构既能够实现激光的出射又能够通过调节输入条件产生克尔光频梳。

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