晶科能源(海宁)有限公司杨力春获国家专利权
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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957524B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511483513.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法是由杨力春;黄纪德;张晓攀;卢孔橙;王颖;刘长明;张昕宇设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及太阳能电池技术领域，提供一种光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法。该制造方法包括：提供基底，基底的第二面包括第一区域和第二区域；在第二面上形成隧穿层；采用第一沉积工艺在隧穿层表面形成第一多晶硅层；采用第二沉积工艺在第一多晶硅层表面形成第二多晶硅层；第一沉积工艺的温度和压强高于第二沉积工艺；进行掺杂处理，将第一多晶硅层和第二多晶硅层转化为第一半导体掺杂层；在第二区域上形成第二半导体掺杂层；形成第一电极和第二电极，第一电极与第一半导体掺杂层电接触，第二电极与第二半导体掺杂层电接触。本公开至少有利于在确保良好的表面钝化效果的同时，实现第一半导体掺杂层与第一电极之间的低电阻欧姆接触。
本发明授权光伏组件、叠层电池、背接触电池及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有相对的第一面和第二面，所述第二面包括交替排列的第一区域和第二区域； 在所述第二面上形成隧穿层； 采用第一沉积工艺，在所述隧穿层表面形成第一多晶硅层； 采用第二沉积工艺，在所述第一多晶硅层表面形成第二多晶硅层；其中，所述第一沉积工艺的第一沉积温度高于所述第二沉积工艺的第二沉积温度，且所述第一沉积工艺的第一沉积压强高于所述第二沉积工艺的第二沉积压强； 进行掺杂处理，以将所述第一多晶硅层以及所述第二多晶硅层转化为第一半导体掺杂膜； 去除所述第二区域的所述第一半导体掺杂膜，剩余的所述第一半导体掺杂膜作为第一半导体掺杂层； 在所述第二区域上形成第二半导体掺杂层； 形成第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体掺杂层电接触，所述第二电极与所述第二半导体掺杂层电接触。
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