合肥晶合集成电路股份有限公司王梦晴获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利复合金属栅格及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511468859.X，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权复合金属栅格及其制备方法是由王梦晴;崔立加;王冉;徐华超设计研发完成，并于2025-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合金属栅格及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种复合金属栅格及其制备方法。该复合金属栅格的制备方法包括：在基底上形成芯模层；刻穿芯模层形成多个第一凹槽；形成第一保护层，第一保护层覆盖芯模层的顶面以及第一凹槽的侧壁和底面且在第一凹槽内限定出第二凹槽；在第二凹槽的底部填充第一金属层；对第一金属层上方的第二凹槽的侧壁进行修整形成第三凹槽，至少第三凹槽部分区域的宽度大于第一金属层的宽度；在第三凹槽的底部填充第二金属层；在第三凹槽内填充第二保护层；以及去除芯模层及其上方的第一保护层。如此可以解决复合金属栅格的轮廓不垂直的问题，提高栅格的透光率和挡光率以及像素单元接收到的光量。本发明提供的复合金属栅格利用上述制备方法制成。
本发明授权复合金属栅格及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种复合金属栅格的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，在所述基底上形成芯模层； 在所述芯模层上形成图形化的掩模层，在所述图形化的掩模层的掩蔽下，刻蚀所述芯模层形成多个第一凹槽，所述第一凹槽贯穿所述芯模层； 在所述基底上形成第一保护层，所述第一保护层覆盖所述芯模层的顶面以及所述第一凹槽的侧壁和底面，所述第一保护层在每个所述第一凹槽内限定出第二凹槽； 在所述第二凹槽的底部填充第一金属层； 对所述第一金属层上方的所述第二凹槽的侧壁进行修整形成第三凹槽，至少所述第三凹槽部分区域的宽度大于所述第一金属层的宽度且小于所述第一凹槽的宽度； 在所述第三凹槽的底部填充第二金属层，所述第二金属层和所述第一金属层的材料不同； 在所述第三凹槽内填充第二保护层，所述第二保护层填满所述第三凹槽；以及 去除所述芯模层上方的第一保护层以及去除所述芯模层，形成所述复合金属栅格。
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