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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120957430B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511453828.7，技术领域涉及：H10D1/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由夏雨俨;陶然设计研发完成，并于2025-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请实施例中提供一种半导体结构及其形成方法；所述半导体结构，包括：基底，包括电容区；第一介质层，覆盖于所述电容区；电容第一凹槽，位于所述电容区的所述第一介质层中；第一电极层，填充于所述电容第一凹槽内；电容介质层，覆盖于所述第一电极层上；第二介质层，覆盖于所述电容介质层上；电容第二凹槽，穿通所述第二介质层，且所述电容第二凹槽的侧壁呈第一外凸曲面，所述第一外凸曲面的凸起方向远离所述电容第二凹槽内部；第二电极层，填充于所述电容第二凹槽内。采用上述方案，可以降低隔离电容被击穿的风险。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，包括电容区； 第一介质层，覆盖于所述电容区； 电容第一凹槽，位于所述电容区的所述第一介质层中； 第一电极层，填充于所述电容第一凹槽内； 电容介质层，覆盖于所述第一电极层上； 第二介质层，覆盖于所述电容介质层上； 电容第二凹槽，穿通所述第二介质层，且所述电容第二凹槽的侧壁呈第一外凸曲面，所述第一外凸曲面的凸起方向远离所述电容第二凹槽内部； 第二电极层，填充于所述电容第二凹槽内； 其中，所述半导体结构还包括：冗余电容凹槽，位于所述电容第二凹槽底部的所述电容介质层中，且所述冗余电容凹槽侧壁呈现第三外凸曲面，所述第三外凸曲面的凸起方向远离所述冗余电容凹槽内部；其中，所述冗余电容凹槽底部端面为平面，且平行所述基底表面；所述第二电极层，还填充于所述冗余电容凹槽内； 冗余电极层，位于所述第一电极层上；所述冗余电极层顶部端面为平面，且平行所述基底表面；所述电容介质层，还覆盖于所述冗余电极层上； 所述第三外凸曲面的截面为第三扇形，且圆心位于所述第二电极层底面上； 所述第一外凸曲面的截面为第二扇形，且所述第二扇形的弧长的中心与圆心之间的连线与所述基底表面平行。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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