合肥晶合集成电路股份有限公司谢斌根获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120936094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511479796.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由谢斌根;董宗谕设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括以下步骤：提供一包括第一器件区、第二器件区的衬底；于衬底上表面形成依次堆叠的栅极堆叠材料层及保护材料层，位于第一器件区上方的保护材料层的厚度小于第二器件区上方的保护材料层的厚度；基于对栅极堆叠材料层及保护材料层的刻蚀，分别于第一器件区、第二器件区上方形成多个间隔设置的第一栅单元、第二栅单元，其中，刻蚀后的保护材料层形成保护层；于相邻两个第二栅单元之间的衬底内形成沟槽，且形成沟槽同时第二栅单元顶部的保护层被同步刻蚀减薄；于沟槽内形成外延层，以形成外延结构。本发明的半导体结构及其制备方法避免了第二器件区上方的栅极层暴露，改善了栅高差异，提升了器件良率。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一衬底，所述衬底包括第一器件区及第二器件区； 于所述衬底上表面形成依次堆叠的栅极堆叠材料层及保护材料层，位于所述第一器件区上方的所述保护材料层的厚度小于所述第二器件区上方的所述保护材料层的厚度； 基于对所述栅极堆叠材料层及所述保护材料层的刻蚀，分别于所述第一器件区上方形成多个间隔设置的第一栅单元、于所述第二器件区上方形成多个间隔设置的第二栅单元，其中，刻蚀后的所述保护材料层形成保护层； 于相邻两个所述第二栅单元之间的所述衬底内形成沟槽，且形成所述沟槽的同时，所述第二栅单元的顶部的所述保护层被同步刻蚀减薄； 于所述沟槽内形成外延层，以形成外延结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励