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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利柔性大应变传感器、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120926870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511475823.4，技术领域涉及：G01B7/16；该发明授权柔性大应变传感器、制备方法及应用是由申志彬;赖晓威;张大鹏;周仕明;刘境航设计研发完成，并于2025-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本柔性大应变传感器、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明涉及柔性传感器技术领域，公开了一种柔性大应变传感器、制备方法及应用，旨在解决固体发动机药柱等软材料的大应变监测中传统传感器量程小、贴合性差，以及现有柔性传感器信号线性度与重复性不佳、制备工艺复杂成本高的问题。采用聚合物薄膜制作柔性绝缘基底；在柔性绝缘基上制备导电膜，构成复合膜层结构；根据导电膜的预设图案，按照第一类矢量轨迹在导电膜上进行激光刻蚀划线，仅穿透导电膜，分割出应变电阻和其他电阻，形成偏轴蛇形结构；根据柔性绝缘基底的预设图案，按第二类矢量轨迹在复合膜层结构上进行激光刻蚀划线，穿透复合膜层结构，刻蚀出传感器的柔性绝缘基底；在引出电极上焊接引出线并进行封装，制得柔性大应变传感器。

本发明授权柔性大应变传感器、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种柔性大应变传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S100、采用聚合物薄膜制作柔性绝缘基底100； S200、在柔性绝缘基上制备导电膜200，构成复合膜层结构； S300、根据导电膜200的预设图案，按照第一类矢量轨迹在导电膜200上进行激光刻蚀划线，仅穿透导电膜200，分割出应变电阻500和其他电阻600，形成偏轴蛇形结构； 偏轴蛇形结构具有多股串联应变电阻500，包括弯曲段和直线段，弯曲段为应变电阻500，直线段为其他电阻600； 步骤S300通过第一类矢量轨迹对导电膜进行选择性刻蚀，在一次加工过程中同步完成偏轴蛇形结构的成形以及应变电阻与其他电阻的功能分区； S400、根据柔性绝缘基底100的预设图案，按第二类矢量轨迹在复合膜层结构上进行激光刻蚀划线，穿透复合膜层结构，刻蚀出传感器的柔性绝缘基底100； 步骤S400通过第二类矢量轨迹对整个复合膜层进行切割，同步完成传感器外部轮廓的最终成型，与S300步骤基于相同的激光加工平台，无需更换工件或进行二次装夹对准，消除了因多次定位导致的边缘切割误差和图形-基底错位问题； S500、在引出电极300上焊接引出线400并进行封装，制得柔性大应变传感器； 遵循了从内至外，先刻蚀内层导电图形，再切割外层基底轮廓，的加工顺序。

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