合肥晶合集成电路股份有限公司李飞获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种金属栅极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120916469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511416557.8，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种金属栅极及其制备方法是由李飞;董宗谕设计研发完成，并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种金属栅极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属栅极及其制备方法，制备方法通过沉积第一金属材料，并干法刻蚀凹槽第二部分中的第一金属材料，以去除所述突起来扩大凹槽的开口尺寸，再通过填充第二金属材料形成金属栅极，解决金属栅极中出现的缝隙缺陷，可以增加金属栅极的稳定性，还可以减少patternloading图案负载效应的差异。
本发明授权一种金属栅极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属栅极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅极，所述伪栅极外侧的半导体衬底上形成有层间介质层； 去除所述伪栅极以形成凹槽，并在所述凹槽的内壁上形成功函数层，同时在所述凹槽中填充第一金属材料，其中，所述凹槽由下至上依次包括相互连通的第一部分和第二部分，所述功函数层在所述凹槽的开口处形成有突起；所述第一金属材料还覆盖所述层间介质层，同时在所述第二部分中存在填充间隙； 干法刻蚀所述第一金属材料，以暴露出所述第二部分，同时还暴露出所述层间介质层； 在所述第二部分中沉积第二金属材料，所述第二金属材料还覆盖所述层间介质层，并对所述第二金属材料进行平坦化处理，以暴露出所述层间介质层，从而形成金属栅极。
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