浙江晶科能源有限公司贺晓琳获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利单晶硅棒的制作方法和硅片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120902131B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511445965.6,技术领域涉及:B28D5/00;该发明授权单晶硅棒的制作方法和硅片是由贺晓琳;李靖;罗园;赵鹏设计研发完成,并于2025-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本单晶硅棒的制作方法和硅片在说明书摘要公布了:本申请涉及一种单晶硅棒的制作方法和硅片。获取单晶硅棒的相关参数,根据单晶硅棒的相关参数,获取单晶硅棒对应的目标分凝模型,根据单晶硅棒的相关参数和目标分凝模型,生成目标切割指令,根据目标切割指令切割单晶硅棒;目标分凝模型表征单晶硅棒的杂质浓度和晶体生成长度之间的映射关系。本申请实施例通过获取的单晶硅棒的相关参数和目标分凝模型,生成目标切割指令,基于目标切割指令实现对单晶硅棒尾部电阻不合格部分的自动化切除,替代传统人工经验判断与手动切割方式,提高了切割效率和切割精度,降低单晶硅棒的制作中的硅料损耗,提升单晶硅棒的合格率与资源利用率,推动单晶硅制造的智能化升级。
本发明授权单晶硅棒的制作方法和硅片在权利要求书中公布了:1.一种单晶硅棒的制作方法,其特征在于,包括: 获取单晶硅棒的相关参数; 根据所述单晶硅棒的相关参数,获取所述单晶硅棒对应的目标分凝模型;所述目标分凝模型表征单晶硅棒的杂质浓度和晶体生成长度之间的映射关系; 根据所述单晶硅棒的相关参数和所述目标分凝模型,生成目标切割指令; 根据所述目标切割指令切割所述单晶硅棒; 所述相关参数包括所述单晶硅棒的目标尾部电阻和所述单晶硅棒的实际生长长度;所述根据所述单晶硅棒的相关参数和所述目标分凝模型,生成目标切割指令,包括: 根据所述单晶硅棒的目标尾部电阻和所述目标分凝模型,确定所述单晶硅的目标生长长度; 根据所述单晶硅棒的实际生长长度和所述目标生长长度,生成所述目标切割指令。
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