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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种多波段LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120897586B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511404102.4，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种多波段LED外延结构及其制备方法是由舒俊;王小兰;高虹;郑文杰;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多波段LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多波段LED外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。本发明多波段LED外延结构的多量子阱发光层包括依次层叠的第一长波蓝光多量子阱发光层、第二中波蓝光多量子阱发光层、第三短波蓝光多量子阱发光层和第四短波蓝光末量子阱发光层，通过对多量子阱发光层的结构改进，使得采用本发明外延结构制得的LED芯片，能够发出长波蓝光、中波蓝光和短波蓝光这三种不同波段的光，通过该具有三种波段蓝光的激发光源来激发红绿混合荧光粉层，能够产生全光谱白光LED光源，相比只有一种波段的蓝光LED芯片，其450nm以下的短波蓝光占比小，对人眼视网膜细胞损伤小，有利于实现具有高显色指数的健康全光谱白光LED光源。

本发明授权一种多波段LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多波段LED外延结构，其特征在于，包括衬底以及设于所述衬底上的缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层； 所述多量子阱发光层包括沿外延方向依次层叠的第一长波蓝光多量子阱发光层、第二中波蓝光多量子阱发光层、第三短波蓝光多量子阱发光层和第四短波蓝光末量子阱发光层； 所述第一长波蓝光多量子阱发光层的发光波长＞所述第二中波蓝光多量子阱发光层的发光波长＞所述第三短波蓝光多量子阱发光层的发光波长＝所述第四短波蓝光末量子阱发光层的发光波长； 所述第一长波蓝光多量子阱发光层、所述第二中波蓝光多量子阱发光层、所述第三短波蓝光多量子阱发光层和所述第四短波蓝光末量子阱发光层均为由阱层与垒层交替层叠而成的周期性结构； 所述第一长波蓝光多量子阱发光层中垒层的禁带宽度＞第二中波蓝光多量子阱发光层中垒层的禁带宽度＞第三短波蓝光多量子阱发光层中垒层的禁带宽度≥第四短波蓝光末量子阱发光层中垒层的禁带宽度； 所述第四短波蓝光末量子阱发光层的垒层中设有P型载流子调控插入层，所述P型载流子调控插入层中掺杂有Mg元素； 所述第一长波蓝光多量子阱发光层的垒层中设有第一N型载流子调控插入层，所述第一N型载流子调控插入层包括周期性交替层叠的第一AlGaN插入层和第一Si掺GaN插入层； 所述第二中波蓝光多量子阱发光层的垒层中设有第二N型载流子调控插入层；所述第二N型载流子调控插入层包括周期性交替层叠的第二AlGaN插入层和第二Si掺GaN插入层； 所述第三短波蓝光多量子阱发光层的垒层中设有第三N型载流子调控插入层；所述第三N型载流子调控插入层包括周期性交替层叠的第三AlGaN插入层和第三Si掺GaN插入层； 所述第一AlGaN插入层的Al组分占比＞所述第二AlGaN插入层的Al组分占比＞所述第三AlGaN插入层的Al组分占比；所述第一AlGaN插入层的生长厚度＞所述第二AlGaN插入层的生长厚度＞所述第三AlGaN插入层的生长厚度； 所述P型载流子调控插入层包括依次层叠的前空穴注入保护层、空穴注入调控层和后空穴注入保护层； 所述前空穴注入保护层和所述后空穴注入保护层均采用AlGaN材料，且所述前空穴注入保护层和所述后空穴注入保护层中AlGaN材料的Al组分占比均小于所述第二AlGaN插入层的Al组分占比；所述空穴注入调控层采用AlGaInN材料且掺杂有Mg元素； 所述第一AlGaN插入层的Al组分占比为0.03~0.30，生长厚度为0.6nm~3.0nm，生长温度为818℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第二AlGaN插入层的Al组分占比为0.02~0.21，生长厚度为0.5nm~2.7nm，生长温度为818℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第三AlGaN插入层的Al组分占比为0.01~0.15，生长厚度为0.3nm~2.2nm，生长温度为818℃~935℃，压力为50torr~360torr； 所述第一Si掺GaN插入层、第二Si掺GaN插入层和第三Si掺GaN插入层中均掺杂有Si元素，Si掺杂浓度分别为2.58×1017cm3~9.73×1017cm3，生长厚度分别为0.3nm~3nm，生长温度分别为818℃~935℃，压力分别为50torr~360torr； 所述前空穴注入保护层和所述后空穴注入保护层均为不进行故意掺杂的AlGaN材料，Al组分占比分别为0.01~0.18，生长厚度分别为0.3nm~2.5nm，生长温度分别为818℃~935℃，压力分别为50torr~360torr； 所述空穴注入调控层为掺杂有Mg元素的AlInGaN材料，Al组分占比为0.01~0.15，In组分占比为0.02~0.15，厚度为0.6nm~8.5nm，Mg掺杂浓度为3.15×1018cm3~8.69×1019cm3，生长温度为818℃~935℃，压力为50torr~360torr。

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