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华东理工大学;光驰半导体技术(上海)有限公司柳翠获国家专利权

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龙图腾网获悉华东理工大学;光驰半导体技术(上海)有限公司申请的专利一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120888892B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511417968.9,技术领域涉及:C23C16/40;该发明授权一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用是由柳翠;李家霖;戴宇豪;袁晓;蓝芝江;杨得成;范宾设计研发完成,并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及防腐涂层技术领域,特别是涉及一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用,包括采用原子层沉积技术制备的Al22O33过渡底层和周期性叠层结构,Al22O33过渡底层沉积在基底表面,周期性叠层结构沉积在Al22O33过渡底层上侧,周期性叠层结构包括重复交替沉积的掺杂改性的Al22O33层、掺杂改性的TiO22层和第三组分层,第三组分层为ZrO22或SiO22。本发明通过稀土非金属元素掺杂提升涂层自愈合能力与电化学稳定性,引入ZrO22或SiO22第三组分强化化学稳定性、抗热震性与绝缘性能,并通过非对称叠层结构适配腐蚀介质渗透特性,显著提升金属基材在盐雾、水汽、高温交替及光电耦合等复杂腐蚀环境中的长期稳定性和防护性能。

本发明授权一种叠层防腐涂层及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种叠层防腐涂层,其特征在于:包括采用原子层沉积技术制备的Al2O3过渡底层和周期性叠层结构,Al2O3过渡底层沉积在基底表面,周期性叠层结构沉积在Al2O3过渡底层上侧,周期性叠层结构包括重复交替沉积的掺杂改性的Al2O3层、掺杂改性的TiO2层和第三组分层,第三组分层为ZrO2或SiO2; 周期性叠层结构为非对称复合层叠结构,包括内层、中间层和外表层,内层从内到外依次包括3-7nm掺杂改性的Al2O3层、3-7nm掺杂改性的TiO2层和1-3nm第三组分层;中间层从内到外依次包括2-4nm掺杂改性的Al2O3层、5-9nm掺杂改性的TiO2层和2-4nm第三组分层;外表层从内到外依次包括1-3nm掺杂改性的Al2O3层、6-10nm掺杂改性的TiO2层和4-6nm第三组分层; 掺杂改性的Al2O3层为采用原子层沉积技术,以氩气为载气交替通入铝前驱体和氧化剂,进行多次循环沉积,在循环过程中插入非金属元素掺杂剂与氧化剂的反应循环得到;非金属元素掺杂剂为含F前驱体或N气源; 掺杂改性的TiO2层为采用原子层沉积技术,以氩气为载气循环交替通入钛前驱体和氧化剂,进行多次循环沉积,在循环过程中插入稀土元素前驱体与氧化剂的反应循环得到;稀土元素前驱体为六氟乙酰丙酮铈或三2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸钇。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华东理工大学;光驰半导体技术(上海)有限公司,其通讯地址为:200237 上海市徐汇区梅陇路130号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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