河北鼎瓷电子科技有限公司高珊获国家专利权
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龙图腾网获悉河北鼎瓷电子科技有限公司申请的专利抗击穿多层陶瓷基板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120887709B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511415234.7,技术领域涉及:C04B35/10;该发明授权抗击穿多层陶瓷基板及其制备方法是由高珊;金华江;李杰;梁鹏杰;李磊;张晨旭;张雪丽设计研发完成,并于2025-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗击穿多层陶瓷基板及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及陶瓷基板技术领域,提出了抗击穿多层陶瓷基板及其制备方法。抗击穿多层陶瓷基板,包括以下重量份组分的原料:氧化铝85~95份、第一烧结助剂4~6份、第二烧结助剂2~3份、分散剂2~4份、粘结剂7~9份、增塑剂2~3份、水60~70份;第一烧结助剂的制备方法,包括以下步骤:将二氧化硅和氧化锶均匀混合后,熔化,淬水冷却后进行球磨,得到第一烧结助剂;第二烧结助剂为稀土氧化物。通过上述技术方案,解决了现有技术中多层陶瓷基板抗击穿能力不足问题。
本发明授权抗击穿多层陶瓷基板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.抗击穿多层陶瓷基板,其特征在于,包括以下重量份组分的原料:氧化铝85~95份、第一烧结助剂4~6份、第二烧结助剂2~3份、分散剂2~4份、粘结剂7~9份、增塑剂2~3份、水60~70份;所述第一烧结助剂的制备方法,包括以下步骤:将二氧化硅和氧化锶均匀混合后,熔化,淬水冷却后进行球磨,得到第一烧结助剂;所述第二烧结助剂为氧化钐;所述第一烧结助剂中氧化锶和二氧化硅的质量比为3:4。
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