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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种多波段LED外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120882181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511383720.5，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种多波段LED外延结构及其制备方法是由舒俊;王小兰;高虹;郑文杰;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多波段LED外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及发光二极管技术领域，公开一种多波段LED外延结构及其制备方法，多波段LED外延结构包括多量子阱发光层，多量子阱发光层包括长波蓝光多量子阱层、短波蓝光多量子阱层、长波紫光多量子阱层和短波紫光末量子阱层，均为周期结构，单个周期均包括N极性阱前插入层、Ga极性量子阱层、N极性阱后插入层和N极性量子垒层；N极性阱前插入层包括InxxGa1‑x1‑xN层、AlaaGa1‑a1‑aN层和InyyGa1‑y1‑yN层；Ga极性量子阱层为InzzGa1‑z1‑zN层；N极性阱后插入层包括InmmGa1‑m1‑mN层、AlbbGa1‑b1‑bN层和非掺GaN层；N极性量子垒层为N极性GaN层。实施本发明，可以产生具有高显色指数的健康全光谱白光LED光源，发光效率高。

本发明授权一种多波段LED外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多波段LED外延结构，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层，其中， 所述多量子阱发光层包括依次层叠的长波蓝光多量子阱层、短波蓝光多量子阱层、长波紫光多量子阱层和短波紫光末量子阱层，所述长波蓝光多量子阱层、短波蓝光多量子阱层、长波紫光多量子阱层和短波紫光末量子阱层均为周期结构，单个周期均包括依次层叠的N极性阱前插入层、Ga极性量子阱层、N极性阱后插入层和N极性量子垒层； 所述N极性阱前插入层包括依次层叠生长的InxGa1-xN层、AlaGa1-aN层和InyGa1-yN层； 所述Ga极性量子阱层为InzGa1-zN层； 所述N极性阱后插入层包括依次层叠生长的InmGa1-mN层、AlbGa1-bN层和非掺GaN层； 所述N极性量子垒层为N极性GaN层； 所述长波蓝光多量子阱层中N极性GaN层的生长温度小于等于所述短波蓝光多量子阱层中N极性GaN层的生长温度，所述短波蓝光多量子阱层中N极性GaN层的生长温度小于等于所述长波紫光多量子阱层中N极性GaN层的生长温度，所述长波紫光多量子阱层中N极性GaN层的生长温度小于等于所述短波紫光末量子阱层中N极性GaN层的生长温度。

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