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龙图腾网获悉北京科力强电子有限公司申请的专利基于气相沉积的智能传感器半导体晶片制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120864805B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510995606.1，技术领域涉及：C03C23/00；该发明授权基于气相沉积的智能传感器半导体晶片制备方法是由褚柏山;褚学泽;胡若雪;龚雪梅设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于气相沉积的智能传感器半导体晶片制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体晶片技术领域，尤其涉及基于气相沉积的智能传感器半导体晶片制备方法，包括：步骤S1，对原材料进行清洗处理；步骤S2，对清洗材料进行激光修复处理；步骤S3，对修复材料进行等离子活化处理；步骤S4，对活化材料进行纳米锚定；步骤S5，对锚定材料进行沉积处理；步骤S6，对沉积材料进行磁约束刻蚀，步骤S7，对刻蚀材料进行在线检测；步骤S8，对检测通过材料进行原子层封装；步骤S9，对封装材料进行激光切割；步骤S10，对切割材料进行自动分选，得到半导体晶片。本发明提高了半导体晶片的结合强度、降低半导体晶片的损坏概率。

本发明授权基于气相沉积的智能传感器半导体晶片制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于气相沉积的智能传感器半导体晶片制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 步骤S1，获取原材料，并对原材料进行清洗处理，得到清洗材料； 步骤S2，对清洗材料进行激光修复处理，得到修复材料； 步骤S3，对修复材料进行等离子活化处理，得到活化材料； 步骤S4，对活化材料进行纳米锚定，得到锚定材料； 步骤S5，对锚定材料进行沉积处理，得到沉积材料； 步骤S6，对沉积材料进行磁约束刻蚀，得到刻蚀材料； 步骤S7，对刻蚀材料进行在线检测，得到检测通过材料； 步骤S8，对检测通过材料进行原子层封装，得到封装材料； 步骤S9，对封装材料进行激光切割，得到切割材料； 步骤S10，对切割材料进行自动分选，得到半导体晶片; 所述步骤S4对活化材料进行纳米锚定时，将活化材料传输至批量化ALD系统中进行纳米锚定，得到锚定材料； 所述步骤S5对锚定材料进行沉积处理时，通过温度分区控制、前驱体选择、等离子体功率分配及原位界面强化，以实现高性能氮碳薄膜的均匀沉积与界面结合优化，从而进一步提高半导体晶片的结合强度； 所述步骤S6对沉积材料进行磁约束刻蚀时，将沉积材料传输至磁约束刻蚀器中进行磁约束刻蚀，得到初刻蚀材料，其中磁约束刻蚀器在进行磁约束刻蚀时的参数设置为：气体配比设置为O2：CF4=3：1，且O2的流量为60sccm，CF4的流量为20sccm，射频功率设置为300W，磁场强度设置为0.5T的轴向磁场，刻蚀速率设置为30nmmin，通孔尺寸设置为Dcys，50nm≤Dcys≤200nm。

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