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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利通道参数管理方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120848821B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511373602.6，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权通道参数管理方法、装置、电子设备及存储介质是由顾洪洋;侯皓雄;曹成;王璞设计研发完成，并于2025-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本通道参数管理方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种通道参数管理方法、装置、电子设备及存储介质，属于固态硬盘技术领域，包括：监测NAND闪存的误码率；根据误码率调整频率扫描的步长；在第一频率向NAND闪存写入第一数据，在第二频率从NAND闪存读取第一数据；若写入第一数据错误，则确定NAND闪存的写数据路径故障；基于误码率依次调整NAND闪存的驱动强度、NAND闪存的终端电阻和固态硬盘的控制器的写延迟时钟；在第二频率向NAND闪存写入第二数据，在第一频率从NAND闪存读取所述第二数据；若读取第二数据错误，则确定NAND闪存的读数据路径故障；基于误码率依次调整NAND闪存的终端电阻、固态硬盘的控制器的参考电压和固态硬盘的控制器的采样延时。能够自动区分读写数据路径故障，并进行参数协同管理。

本发明授权通道参数管理方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种通道参数管理方法，其特征在于，所述方法包括： 监测NAND闪存的误码率； 根据所述NAND闪存的误码率，调整频率扫描的步长；所述频率为所述NAND闪存与固态硬盘之间通路的运行频率； 在第一频率下向所述NAND闪存写入第一数据，在第二频率下从所述NAND闪存读取所述第一数据；若写入所述第一数据错误，则确定所述NAND闪存的写数据路径故障； 若所述NAND闪存的写数据路径故障，则基于所述NAND闪存的误码率依次调整所述NAND闪存的驱动强度、所述NAND闪存的终端电阻和所述固态硬盘的控制器的写延迟时钟； 在所述第二频率下向所述NAND闪存写入第二数据，在所述第一频率下从所述NAND闪存读取所述第二数据；若读取所述第二数据错误，则确定所述NAND闪存的读数据路径故障； 若所述NAND闪存的读数据路径故障，则基于所述NAND闪存的误码率依次调整所述NAND闪存的终端电阻、所述固态硬盘的控制器的参考电压和所述固态硬盘的控制器的采样延时； 其中，所述根据所述NAND闪存的误码率，调整频率扫描的步长包括： 若所述NAND闪存的误码率小于或等于第一阈值，则调整频率扫描的步长为第一数值；若所述NAND闪存的误码率大于所述第一阈值、且小于或等于第二阈值，则调整所述频率扫描的步长按指数衰减；若所述NAND闪存的误码率大于所述第二阈值，则调整频率扫描的步长为第二数值； 所述基于所述NAND闪存的误码率依次调整所述NAND闪存的驱动强度、所述NAND闪存的终端电阻和所述固态硬盘的控制器的写延迟时钟，包括： 调整所述NAND闪存的驱动强度； 调整所述NAND闪存的终端电阻； 调整所述固态硬盘的控制器的写延迟时钟； 所述基于所述NAND闪存的误码率依次调整所述NAND闪存的终端电阻、所述固态硬盘的控制器的参考电压和所述固态硬盘的控制器的采样延时包括： 调整所述NAND闪存的终端电阻； 调整所述固态硬盘的控制器的参考电压； 调整所述固态硬盘的控制器的采样延时，T为环境温度，为误码率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，其通讯地址为：250014 山东省济南市高新区港西路2177号港盛大厦4层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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