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龙图腾网获悉北京七星华创微电子有限责任公司申请的专利一种利用钢网印刷技术的倒装芯片底填优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120781709B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511261633.2，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种利用钢网印刷技术的倒装芯片底填优化方法是由高付宾;王丽波设计研发完成，并于2025-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用钢网印刷技术的倒装芯片底填优化方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体芯片封装技术领域，具体涉及一种利用钢网印刷技术的倒装芯片底填优化方法。该方法采用预测的方式根据工艺初期的各项参数模拟整个底填过程，进而根据预测结果判断当前工艺是否会存在空洞缺陷。在底填过程动态预测模型中引入两类损失函数，两类损失函数分别代表了模型的持续性预测过程与训练数据之间的结果性损失，以及持续性预测过程的真实性可靠性形成的物理一致性损失。本发明构建的底填过程动态预测模型能够模拟预测芯片表面压力场的动态过程，工程师在工艺优化阶段能够根据模型的持续性预测过程确定存在工艺问题的钢网区域，并且工艺优化后可进一步利用模型去模拟优化后的底填结果，进而形成可靠有效的工艺优化过程。

本发明授权一种利用钢网印刷技术的倒装芯片底填优化方法在权利要求书中公布了：1.一种利用钢网印刷技术的倒装芯片底填优化方法，其特征在于，所述方法包括： 根据芯片结构获得芯片表面的焊球流动能力图；根据印刷后且固化前的胶体的高度在空间中的变化率，获得胶体初始压力变化图；焊球流动能力图、胶体初始压力变化图以及胶体的固化反应速率作为工艺初始条件； 根据历史生产流程中的工艺初始条件，以及最终空洞分布图训练底填过程动态预测模型；所述底填过程动态预测模型的输入为工艺初始条件，输出为预测有效压力场；预测有效压力场生成的过程是时序上根据上一时刻的生成结果所持续性预测的结果；底填过程动态预测模型的损失函数包括结果一致性损失和物理一致性损失；通过预测有效压力场中的数据获得预测空洞分布图，根据所述预测空洞分布图与所述最终空洞分布图的差异获得所述结果一致性损失；预测有效压力场在持续性预测过程中的变化规律与预设物理规律的差异构成所述物理一致性损失； 将实时底填过程中的工艺初始条件输入底填过程动态预测模型，输出预测出的最终时刻的预测有效压力场，并获得预测空洞分布图；根据预测空洞分布图反馈预警信号，并根据持续性预测过程进行工艺优化； 所述预测有效压力场在持续性预测过程中的变化规律与预设物理规律的差异构成所述物理一致性损失，包括： 对于预测有效压力场中的任意一个元素，所述预设物理规律用公式表示为：；其中表示在持续性预测过程中的t时刻下，预测有效压力场中i,j位置处的元素的时间变化率；为焊球流动能力图中i,j位置处的元素值；为胶体的固化反应速率C在底填过程中随时间变化的函数；为元素在预测有效压力场中的梯度； 所述物理一致性损失用公式表示为： ；其中表示所述物理一致性损失；T表示持续性预测过程中时刻点的总数量；N表示预测有效压力场中包含的元素点的总数量，为L2范数运算符。

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