杭州鼎能光电科技有限公司郭家俊获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州鼎能光电科技有限公司申请的专利一种用于钙钛矿太阳能电池低损伤膜层的溅射装置及设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120776249B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511285652.9,技术领域涉及:C23C14/34;该发明授权一种用于钙钛矿太阳能电池低损伤膜层的溅射装置及设备是由郭家俊;赵泽鑫;宋光耀;龙启凡设计研发完成,并于2025-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于钙钛矿太阳能电池低损伤膜层的溅射装置及设备在说明书摘要公布了:本发明涉及一种用于钙钛矿太阳能电池低损伤膜层的溅射装置及设备。溅射装置位于溅射设备中,基片位于溅射设备中进行直线式运动,当经过溅射装置时,可对基片进行溅射镀膜;溅射装置包括靶座,靶座内部设有两个溅射阴极,两个溅射阴极相对称设置;两个溅射阴极表面设有靶材,且每个溅射阴极均具有垂直于靶材的平面;溅射阴极倾斜朝向开口设置,且两个平面之间的夹角设置为A,且A为钝角。本发明通过倾斜设置两个溅射阴极,能够降低溅射阴极工作时产生的粒子对基片上钙钛矿吸光层的损伤,保证整个基片镀钙钛矿吸光层的合格率。
本发明授权一种用于钙钛矿太阳能电池低损伤膜层的溅射装置及设备在权利要求书中公布了:1.一种用于钙钛矿太阳能电池低损伤膜层的溅射装置,应用于溅射设备中,对基片进行溅射镀膜,其特征在于,包括靶座,所述靶座具有开口,所述基片位于所述靶座外侧,且可正对所述开口设置; 所述靶座内设有两个溅射阴极,两个所述溅射阴极倾斜朝向所述开口设置,且两个所述溅射阴极相对称设置; 两个所述溅射阴极相靠近的侧壁上设有靶材,以用于产生靶原子; 每个所述溅射阴极均具有垂直于所述靶材的平面,且两个所述平面之间的夹角设置为A,所述A为钝角,所述A的取值范围为120°-150°; 所述靶座远离所述基片的内侧壁设置有辅助阳极,所述辅助阳极设置为两个,两个所述辅助阳极关于两个所述溅射阴极的对称平面相对称设置,两个所述辅助阳极均具有自由部和固定部,两个所述辅助阳极的自由部之间的夹角为B,所述B的取值范围为20°-40°; 所述靶座的两侧壁均设置有辅助阴极,所述辅助阴极包括安装部和吸附部; 所述安装部垂直于所述基片,所述吸附部连接在所述安装部靠近所述基片的端部; 所述吸附部位于所述溅射阴极下方,且两个所述吸附部相靠近的端部相间隔设置以形成开口。
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