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龙图腾网获悉辽宁天桥新材料科技股份有限公司申请的专利一种高纯三氧化钼升华提纯参数优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120765719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510944299.4，技术领域涉及：G06T7/62；该发明授权一种高纯三氧化钼升华提纯参数优化方法是由张惠;孟繁露;牛海涛;郑轶;王士桐;闫浩设计研发完成，并于2025-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高纯三氧化钼升华提纯参数优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高纯三氧化钼升华提纯参数优化方法，涉及高分子化合物提纯及晶体生长技术领域，该方法通过粒径分布偏度值S和粒径分布峰度值K的定量分析，构建原料粒径状态因子Gsize，实现了原料粒度分布的数字化评价，在升华前有效识别粒径分布是否集中与合理，筛除粒径过大或过小的异常原料，促进降低升华过程中因粒径差异引发的蒸汽释放不均现象。通过引入图像识别与KNN分类模型，进一步筛选球状粒子比例并剔除团聚体，通过对球状粒子、片状粒子、针状粒子及团聚粒子的比例计算，使球状粒子比例维持在高水平，同时控制团聚粒子比例在低于预设阈值以下，可减小蒸汽释放时的局部扰动，提升传质过程晶体成核的一致性。

本发明授权一种高纯三氧化钼升华提纯参数优化方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯三氧化钼升华提纯参数优化方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一，对升华前的三氧化钼原料进行粒径分布测试，采用激光粒度仪、图像粒度分析或SEM图像分析方法，获取原料的粒径分布图谱及粒径分布偏度值S和粒径分布峰度值K，并构建获取初始粒径状态因子Gsize；当Gsize≥0.7，且K≥3，表示当前三氧化钼原料预监测合格，汇总为第一预合格原料，进入步骤二； 步骤二，对第一预合格原料进行拍摄，获取原料晶体图像，对原料晶体图像进行图像预处理后，构建粒子的特征向量，并通过训练好的分类器KNN输出类别标签，并计算第k个类别标签的粒子占总粒子数的百分比值，获取球状粒子比例、片状粒子比例、针状柱状比例和团聚粒子比例，当第一预合格原料中球状粒子比例≥50%，且团聚粒子比例＜10%，表示合格，进入步骤三； 步骤三、在升华起始阶段，采集升华腔体内温度场分布、气相浓度分布及升华壁面晶面结构，构建初始升华条件下的边界层结构模型；结合三维粒子跟踪技术，获取三氧化钼蒸汽的近壁扩散速率曲线，构建升华壁面边界层的浓度梯度以及相对应的蒸汽扩散通量J，以判断是否存在蒸汽在边界层堆积，有传质瓶颈风险，若存在，生成第一微幅动态修正策略并指令，直至不存在传质瓶颈风险后进入步骤四； 步骤四、利用热成像矩阵、流场追踪和升华蒸汽浓度反演技术，捕捉升华腔体内热毛细对流路径和强度变化，构建热对流偏移矢量图，并计算流场稳定性指标FTCV；预设稳定阈值F，当FTCV＞F，系统执行局部温区微调指令，随后进入步骤五； 步骤五、在冷凝沉积阶段过程中，通过冷凝面温度场扫描与形貌演化图谱监测，识别升华蒸汽沉积非均匀性特征，并构建升华-冷凝不对称性因子ASC，并预设对称临界阈值X，当ASC＞X时，通过动态调整冷凝面温度分布和晶面引导方向修正冷凝对称性，直至结晶。

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