华南理工大学;无锡创感微传感技术有限公司彭宏伟获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学;无锡创感微传感技术有限公司申请的专利一种地磁传感器与MCU的微型化单片集成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120757066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510845227.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种地磁传感器与MCU的微型化单片集成方法是由彭宏伟;周璇设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种地磁传感器与MCU的微型化单片集成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种地磁传感器与MCU的微型化单片集成方法。所述方法包括以下步骤：1低温CMOS电路层制备，2TSV三维互联结构加工，3无磁芯平面线圈制作，4低温电磁屏蔽层集成，5结构释放与真空封装。本发明通过无磁芯设计消除铁磁材料引入的工艺冲突与磁滞误差，并采用TSV硅通孔三维互联技术替代传统平面布线，将模块体积压缩至毫米级，同时集成宽频电磁屏蔽层，确保在微弱磁场1μT检测场景下信噪比≥30dB。可实现与CMOS工艺的低温兼容性，其量产可行性需适配标准半导体产线，单片成本降低30％以上，适用于导航设备、消费电子及工业传感系统。
本发明授权一种地磁传感器与MCU的微型化单片集成方法在权利要求书中公布了：1.一种地磁传感器与MCU的微型化单片集成方法，其特征在于：包括以下步骤： a在硅基底上通过CMOS-MEMS工艺形成MCU电路层，所述MCU电路层包含信号放大模块、数字处理单元及通信接口； b在所述MCU电路层上制作洛伦兹力地磁传感器的无磁芯平面线圈，并通过垂直通孔TSV与所述MCU电路层垂直互联； c在所述MCU电路层与所述平面线圈之间沉积氮化钽TaN复合电磁屏蔽层； d通过刻蚀工艺释放所述平面线圈的悬空支撑结构，后续结构释放与封装工艺采用非磁性真空封装材料进行封装，所述封装工艺采用键合温度250-300℃、真空度10-3Pa。
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