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龙图腾网获悉山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司申请的专利一种判决反馈均衡器及单端接收装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120750704B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511188775.0，技术领域涉及：H04L25/03；该发明授权一种判决反馈均衡器及单端接收装置是由邹晓峰;展永政;张璐设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种判决反馈均衡器及单端接收装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种判决反馈均衡器及单端接收装置，涉及集成电路技术领域，包括利用多个三态门构成的可调反相器阵列，能够实现跨到可调的跨导单元，从而能够作为DFE加法器主通路和反馈通路的跨导单元；利用多个输入和输出短接的三态门构成的负载阵列，能够实现可调负载阻抗；基于上述两个部分，结合反相器，就能实现真正单端DFE，且没有任何DAC和无源器件，从而显著减少功耗和面积。

本发明授权一种判决反馈均衡器及单端接收装置在权利要求书中公布了：1.一种判决反馈均衡器，其特征在于，包括：主反相器阵列、负载阵列、反馈反相器阵列及比较电路，其中， 所述主反相器阵列的第一端接入数据信号，所述主反相器阵列的第二端与所述负载阵列的第一端连接，所述主反相器阵列的第三端接入第一供电电压，所述主反相器阵列的第三端接地，所述主反相器阵列的控制端接入第一控制信号； 所述负载阵列的第二端与所述比较电路的第一端连接，所述负载阵列的第三端接入第二供电电压，所述负载阵列的第四端接地，所述负载阵列的控制端接入负载控制字； 所述比较电路的第二端输出数据信号，所述比较电路的第三端与所述反馈反相器阵列的第一端连接； 所述反馈反相器阵列的第二端与所述主反相器阵列的第二端连接，所述反馈反相器阵列的第三端接入第三供电电压，所述反馈反相器阵列的第四端接地，所述反馈反相器阵列的控制端接入均衡系数控制字； 所述主反相器阵列包括：多个主反相器单元，其中， 每个主反相器单元的第一端接入数据信号，所述主反相器单元的第二端与所述负载阵列的第一端、所述反馈反相器阵列的第二端连接，所述主反相器单元的第三端接入第一供电电压，所述主反相器单元的第三端接地，所述主反相器单元的控制端接入第一控制信号； 所述主反相器单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管及第二NMOS管，其中， 所述第一PMOS管的源极接入第一供电电压，所述第一PMOS管的漏极与所述第二PMOS管的源极连接，所述第一PMOS管的栅极接地； 所述第二PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极、所述负载阵列的第一端、所述反馈反相器阵列的第二端连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第一NMOS管的栅极连接； 所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极接入数据信号； 所述第二NMOS管的源极接地，所述第二NMOS管的栅极接入所述第一控制信号； 所述负载阵列包括：多个负载单元，其中， 所述负载单元的第一端与所述主反相器阵列的第二端连接，所述负载单元的第二端与所述比较电路的第一端连接，所述负载单元的第三端接入第二供电电压，所述负载单元的第四端接地，所述负载单元的控制端接入负载控制字； 所述负载单元包括：第三PMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及第一反相器，其中， 所述第三PMOS管的源极接入第二供电电压，所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接，所述第三PMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端连接； 所述第四PMOS管的漏极与其栅极、第三NMOS管的漏极、第三NMOS管的栅极、主反相器阵列的第二端、比较电路的第一端连接； 所述第四NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接，所述第四NMOS管的源极接地，所述第四NMOS管的栅极与所述第一反相器的输入端连接，所述第四NMOS管的栅极接入负载控制字。

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