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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利一种微铜柱凸点互连电阻高温退化预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120745222B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510900134.7，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种微铜柱凸点互连电阻高温退化预测方法是由付志伟;郭小童;陈健;于浩设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微铜柱凸点互连电阻高温退化预测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微铜柱凸点互连电阻高温退化预测方法，包括：基于Ni原子的热扩散通量建立Ni原子的净通量与Ni‑Cu‑Sn化合物层厚度变化的关系；基于Cu原子的热扩散通量建立Cu原子的净通量与Cu66Sn55层和Cu33Sn层厚度变化的关系；基于这些厚度变化关系，建立Ni‑Cu‑Sn化合物层、Cu66Snss层和Cu33Sn层的厚度高温生长模型；基于厚度高温生长模型建立Cu焊盘、Sn焊料、Ni层的厚度高温消耗模型；基于厚度高温生长模型和厚度高温消耗模型建立电阻高温退化模型。本发明能够为镀Ni层的铜柱凸点互连电阻高温退化情况预测提供有效解决方案，极大地降低或避免大量的寿命和失效分析试验所产生的时间和经济成本。

本发明授权一种微铜柱凸点互连电阻高温退化预测方法在权利要求书中公布了：1.一种微铜柱凸点互连电阻高温退化预测方法，所述凸点互连从上至下依次包括Cu柱、Ni层、Ni-Cu-Sn化合物层、Sn焊料、Cu6Sn5层、Cu3Sn层和Cu焊盘，其特征在于，所述方法包括： 获取Cu6Sn5层和Cu3Sn层中的Cu原子热扩散通量以及Ni-Cu-Sn化合物层中的Ni原子热扩散通量； 基于Ni原子的热扩散通量，建立Ni原子的净通量与Ni-Cu-Sn化合物层厚度变化的关系； 基于Cu原子的热扩散通量，建立Cu原子的净通量与Cu6Sn5层和Cu3Sn层厚度变化的关系； 基于Ni原子的净通量与Ni-Cu-Sn化合物层厚度变化的关系以及Cu原子的净通量与Cu6Sn5层和Cu3Sn层厚度变化的关系，建立Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度高温生长模型； 基于Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度高温生长模型建立Ni层、Sn焊料、Cu焊盘的厚度高温消耗模型； 基于Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度高温生长模型以及Ni层、Sn焊料、Cu焊盘的厚度高温消耗模型，建立微铜柱凸点互连的电阻高温退化模型； Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层和Cu3Sn层的厚度高温生长模型为： 其中： 其中，mix、η、ε分别是Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层、Cu3Sn层的厚度，mix0、η0和ε0分别是Ni-Cu-Sn化合物层、Cu6Sn5层、Cu3Sn层的初始厚度，t表示时间，DNimix是Ni原子在Ni-Cu-Sn化合物层中的热扩散率，CNi和CNimix分别是Ni原子在Ni层和Ni-Cu-Sn化合物层中的原子浓度，CNiSn是溶解在Sn焊料中的Ni原子浓度，DCuη、DCuε分别是Cu原子在Cu6Sn5层和Cu3Sn层中的热扩散率，CCu、CCuη、CCuε和CCuSn分别是Cu原子在Cu焊盘、Cu6Sn5层、Cu3Sn层和Sn焊料中的原子浓度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))，其通讯地址为：511370 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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