阿特斯阳光电力集团股份有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司肖奇获国家专利权
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龙图腾网获悉阿特斯阳光电力集团股份有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司申请的专利背接触电池及其制造方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730877B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511173009.7，技术领域涉及：H10F77/1223；该发明授权背接触电池及其制造方法、光伏组件是由肖奇设计研发完成，并于2025-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触电池及其制造方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，背接触电池包括：基底，所述基底具有沿第一方向上相对的第一面和第二面，所述第二面具有沿第二方向交替排布的第一区和第二区；堆叠设置于所述第一区上的第一介质层和第一掺杂层，所述第一掺杂层中具有P型掺杂元素；堆叠设置于所述第二区上的第二介质层和第二掺杂层，所述第二掺杂层中具有N型掺杂元素；其中，所述第一掺杂层包括堆叠设置的N层第一掺杂膜，沿远离所述基底的方向上，第N‑1层所述第一掺杂膜的晶化率高于第N层所述第一掺杂膜的晶化率，N为大于或等于2的正整数。本申请实施例至少有利于提升背接触电池的光电转换效率。
本发明授权背接触电池及其制造方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池，其特征在于，包括： 基底，所述基底具有沿第一方向上相对的第一面和第二面，所述第二面具有沿第二方向交替排布的第一区和第二区； 堆叠设置于所述第一区上的第一介质层和第一掺杂层，所述第一掺杂层为具有P型掺杂元素的P型掺杂层； 堆叠设置于所述第二区上的第二介质层和第二掺杂层，所述第二掺杂层为具有N型掺杂元素的N型掺杂层； 其中，所述P型掺杂层包括堆叠设置的N层第一掺杂膜，沿远离所述基底的方向上，第N-1层所述第一掺杂膜的晶化率高于第N层所述第一掺杂膜的晶化率，第N-1层所述第一掺杂膜中的晶粒尺寸小于第N层所述第一掺杂膜的晶粒尺寸，第N-1层所述第一掺杂膜的厚度小于第N层所述第一掺杂膜的厚度，N为大于或等于2的正整数；所述N型掺杂层为单膜层结构；沿所述第一方向上，所述P型掺杂层的厚度大于所述N型掺杂层的厚度。
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