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龙图腾网获悉阿特斯阳光电力集团股份有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司申请的专利背接触电池及其制造方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730871B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511197518.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权背接触电池及其制造方法、光伏组件是由肖奇;邓伟伟设计研发完成，并于2025-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触电池及其制造方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触电池及其制造方法、光伏组件，制造方法包括：提供具有沿第一方向上相对的第一面和第二面的基底，第二面具有沿第二方向交替排布的第一区和第二区；在第二面上形成介质层；在介质层远离基底的一侧依次形成均具有掺杂元素的掺杂层和硅玻璃层，掺杂元素在硅玻璃层中的摩尔百分比含量为5%~10%；去除位于第一区或第二区上的硅玻璃层；以剩余的硅玻璃层为掩膜层进行刻蚀处理，去除未被掩膜层覆盖的掺杂层和介质层，至少有利于提升背接触电池的制造效率。

本发明授权背接触电池及其制造方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底具有沿第一方向上相对的第一面和第二面，所述第二面具有沿第二方向交替排布的第一区和第二区； 在所述第二面上形成介质层； 在所述介质层远离所述基底的一侧形成半导体层； 对所述半导体层进行掺杂处理以转化为掺杂层，并在所述掺杂层远离所述基底的一侧形成硅玻璃层，所述掺杂层和所述硅玻璃层均具有掺杂元素； 其中，所述半导体层包括第一半导体层，所述掺杂元素包括硼，所述掺杂层包括第一掺杂层，所述硅玻璃层包括硼硅玻璃层；进行所述掺杂处理的步骤包括：进行第一扩通处理，将形成所述第一半导体层后的所述基底放入反应腔室中，向所述反应腔室中通入三氯化硼；进行第一有氧推结处理，向所述反应腔室中通入三氯化硼和氧气的混合气体；进行第一无氧推结处理，向所述反应腔室中通入三氯化硼，以控制所述硼硅玻璃层中，氧化硅中硼的摩尔百分比含量为5%~10%； 或者，所述半导体层包括第二半导体层，所述掺杂元素包括磷，所述掺杂层包括第二掺杂层，所述硅玻璃层包括磷硅玻璃层；进行所述掺杂处理的步骤包括：进行第二扩通处理，将形成所述第二半导体层后的所述基底放入反应腔室中，向所述反应腔室中通入携带有三氯氧磷的氮气；进行第二有氧推结处理，向所述反应腔室中通入携带有三氯氧磷的氮气和氧气的混合气体；进行第二无氧推结处理，向所述反应腔室中通入携带有三氯氧磷的氮气，以控制所述磷硅玻璃层中，氧化硅中磷的摩尔百分比含量为5%~10%； 去除所述第一区的所述硅玻璃层或所述第二区的所述硅玻璃层； 以剩余的所述硅玻璃层为掩膜层进行刻蚀处理，去除未被所述掩膜层覆盖的所述掺杂层和所述介质层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人阿特斯阳光电力集团股份有限公司;扬州阿特斯太阳能电池有限公司，其通讯地址为：215129 江苏省苏州市高新区鹿山路199号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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