甚磁科技(上海)有限公司张梦瑶获国家专利权
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龙图腾网获悉甚磁科技(上海)有限公司申请的专利一种超导带材制备以及应力原位释放方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120719258B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510886966.8，技术领域涉及：C23C14/28；该发明授权一种超导带材制备以及应力原位释放方法是由张梦瑶设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种超导带材制备以及应力原位释放方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超导带材薄膜制备方法，该方法包括：所述超导带材在通过脉冲激光沉积PLD或金属有机化学气相沉积MOCVD工艺进行薄膜制备时，进行多次“热结晶‑急冷”工艺步骤，即：所述超导带材多次依序通过热结晶区和急冷区，每次所述超导带材通过在热结晶区加热完成定向结晶，随后进入急冷区进行快速冷却。所述多次“热结晶‑急冷”工艺步骤由多级“热结晶‑急冷”功能单元实现，在该多级“热结晶‑急冷”功能单元中，多个热结晶区和急冷区依序交叉排列形成多个级次的温度控制。本发明方法通过应力释放解决了超导带材厚膜翘曲问题。
本发明授权一种超导带材制备以及应力原位释放方法在权利要求书中公布了：1.一种超导带材薄膜制备方法，其特征在于，该方法包括： 所述超导带材在通过脉冲激光沉积PLD或金属有机化学气相沉积MOCVD工艺进行薄膜制备时，进行多次“热结晶-急冷”工艺步骤，即： 所述超导带材多次依序通过热结晶区和急冷区，每次所述超导带材通过在热结晶区加热完成定向结晶，随后进入急冷区进行快速冷却， 所述多次“热结晶-急冷”工艺步骤由多级“热结晶-急冷”功能单元实现，在该多级“热结晶-急冷”功能单元中，多个热结晶区和急冷区依序交叉排列形成多个级次的温度控制。
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