中国科学院上海微系统与信息技术研究所刘艺晨获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种混合驱动的MEMS器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120622403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510738078.1，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权一种混合驱动的MEMS器件及其制备方法是由刘艺晨;武震宇;王栎皓;苏泳全设计研发完成，并于2025-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种混合驱动的MEMS器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种混合驱动的MEMS器件及其制备方法，在第一衬底中形成第一致动结构，在第一致动结构上形成压电复合薄膜层，对第一电极层和第二电极层施加相反电性的电压，压电层在逆压电效应的作用下产生形变，带动第一致动结构的可动端发生位移；在第二衬底中形成第二空腔，在第二空腔中形成第三电极层，对第三电极层施加与第二电极层相同或相反的电压，第三电极层和第二电极层作为静电驱动的电极，基于同性静电相斥或异性静电吸附的原理，使第一致动结构的可动端在压电驱动产生的位移基础上进一步增大形变挠度，形成混合驱动的MEMS器件，克服了压电驱动和静电驱动单独驱动时的不足，使得MEMS器件在精准偏转时还能够在相同的电压下实现更大的位移量。
本发明授权一种混合驱动的MEMS器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种混合驱动的MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供第一衬底，所述第一衬底包括相对设置的正面和背面，于所述第一衬底的正面上依次形成第一电极层、压电层和第二电极层且所述第二电极层与所述第一电极层的电性相反； 对所述第一电极层、所述压电层和所述第二电极层依次进行图形化操作以形成压电复合薄膜层； 对所述第一衬底的正面进行局部刻蚀形成第一开口，以定义出由压电驱动的第一致动结构； 对所述第一衬底进行刻蚀形成第一空腔，以定义出所述第一致动结构的固支端和可动端，其中，所述第一空腔容纳所述第一致动结构的可动端； 提供第二衬底，对所述第二衬底进行局部刻蚀形成第二空腔，于所述第二空腔内的第二衬底上形成图形化的第三电极层； 将所述第一衬底的正面与所述第二衬底进行装配，形成混合驱动的MEMS器件。
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