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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利半导体器件和芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568836B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511064711.X，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权半导体器件和芯片是由吴妍霖;周春华;蔡子东设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和芯片在说明书摘要公布了：本公开的实施例提供一种半导体器件和芯片，涉及半导体技术领域，用于实现增强型和耗尽型的单片集成；该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、栅极层、第一帽层和第二帽层；沟道层和势垒层层叠设置于衬底上，势垒层相比沟道层远离衬底；栅极层设于势垒层远离沟道层的一侧；栅极层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极；第一帽层设于第一栅极与势垒层之间；第二帽层设于第二栅极与势垒层之间；其中，势垒层位于第一帽层与沟道层之间的厚度，小于，势垒层位于第二帽层与沟道层之间的厚度。上述半导体器件应用于芯片中。

本发明授权半导体器件和芯片在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 层叠设置于所述衬底上的沟道层和势垒层，所述势垒层相比所述沟道层远离所述衬底； 栅极层，设于所述势垒层远离所述沟道层的一侧；所述栅极层包括间隔设置的第一栅极和第二栅极； 第一帽层，设于所述第一栅极与所述势垒层之间； 第二帽层，设于所述第二栅极与所述势垒层之间； 其中，所述势垒层位于所述第一帽层与所述沟道层之间的厚度，小于，所述势垒层位于所述第二帽层与所述沟道层之间的厚度； 所述势垒层远离所述沟道层的表面形成有第一凹槽，所述第一帽层包括相连接的第一部分和第二部分，所述第一部分设于所述第一凹槽内，所述第二部分设于所述第一部分远离所述势垒层的一侧；所述第一部分沿第一方向的尺寸，小于，所述第二部分沿所述第一方向的尺寸，所述第一方向垂直于所述半导体器件的厚度方向； 所述第一帽层包括：沿第二方向相对设置的第一表面和第二表面，所述第二方向为所述半导体器件的厚度方向；所述第一帽层还包括：连接所述第一表面和所述第二表面的至少一个侧表面； 所述至少一个侧表面包括沿所述第一帽层的周向排布的第一子表面和第二子表面；所述第一子表面与第一凹槽的槽壁相接触；所述第二子表面与所述第一凹槽的槽壁在所述第一方向上具有间距； 所述第一子表面为台阶状，且所述第一子表面的台阶面搭接于所述势垒层的远离所述沟道层的表面；所述第二子表面为垂直于所述第一方向的表面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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