高富高新材料(浙江)有限公司刘久明获国家专利权
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龙图腾网获悉高富高新材料(浙江)有限公司申请的专利一种自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120483739B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510680877.8，技术领域涉及：C04B35/596；该发明授权一种自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件的制备方法是由刘久明;钟海炎;牛奔奔;邱伟东;芦志峰;高海霞设计研发完成，并于2025-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明说明了一种自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件的制备方法，属于陶瓷制品技术领域。本发明在成分上以稀土金属单质替换稀土金属氧化物，一步烧结出以β相氮化硅为主体的框架，后通入氧气氧化稀土金属元素，稀土金属元素捕获氧气后氧化实现自生长，并使得稀土金属氧化物产生内应力，二步烧结熔融氧化后的稀土金属元素形成液相，并释放稀土金属氧化物的内应力，熔融的稀土金属氧化物流向陶瓷各个孔隙内，促进陶瓷进一步实现致密化。
本发明授权一种自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件的制备方法，其特征在于： 其步骤在于： S1、将α相含量高于70%的Si3N4粉、AlN、单质Y、MgO、单质Li、单质La、烧结助剂放入球磨机，球磨至所有颗粒粒径＜0.5μm，制备混合粉体； S2、将混合粉体模压成型为坯体；将坯体进行一次烧结，烧结温度为1450-1650℃，烧结压力为3-20atm，烧结时间为30-72h，一次烧结完成后，释放压力，缓慢降温，烧结产物为氮化硅毛坯1； S3、降温至常温后，对氮化硅毛坯1所处环境抽真空，并通入氧气，静置7-30天； S4、氮化硅毛坯1静置完成后，在氧气氛围下，缓慢升温至100-300℃，在100-300℃下保温0.5-5h； S5、对氮化硅毛坯1所处的氧气氛围进行抽真空处理，通入惰性气体，对氮化硅毛坯1进行二次烧结，烧结温度为1700-1850℃，烧结压力为3-20atm，烧结时间为30-72h，烧结后为氮化硅毛坯2； S6、将氮化硅毛坯2进行机加工，制备所需尺寸的陶瓷结构件。
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