浙江省冶金研究院有限公司王吉应获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江省冶金研究院有限公司申请的专利一种功率半导体器件用高热稳定无氧铜带及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120366683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510665326.4，技术领域涉及：C22F1/08；该发明授权一种功率半导体器件用高热稳定无氧铜带及其制备方法是由王吉应;许周烽;余贤旺;陶应啟;吴云洪;陈华强设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率半导体器件用高热稳定无氧铜带及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率半导体器件用高热稳定无氧铜带及其制备方法，通过真空熔炼脱氧去杂、下引连铸一次成型坯料，并对坯料依次进行高温扩散退火、连续热轧、正反面交替方向室温第一粗轧、单面单向室温第二粗轧、再结晶退火、精轧成无氧铜带，能够实现铜带晶体取向、晶粒度、含氧量、硬度和强度的精确控制，同时本发明提供的无氧铜带具有高的电导率和导热系数，在高温处理过程中表现出优异的晶粒尺寸高温稳定性。本发明提供的无氧铜带可应用在DBC、AMB陶瓷覆铜板等半导体功率器件中，其制备工艺具有稳定性好、简单高效、成材率高的特点，适用于工业化大规模生产。
本发明授权一种功率半导体器件用高热稳定无氧铜带及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件用高热稳定无氧铜带的制备方法，其特征是，步骤包括： 1对铜原料进行真空熔炼，然后下引连铸得到铜板； 2将铜板置于真空炉中进行扩散退火处理，然后冷却； 3将冷却后的铜板进行热轧开坯，待铜板冷却至室温再进行铣面去除表面氧化皮； 4将热轧后的铜板先以正反面交替方向室温第一粗轧，再对任意一面单向室温第二粗轧，得到铜带； 5将铜带置于还原气氛炉中进行再结晶退火处理；再结晶退火条件为：加热温度500~680℃，保温时间30~120min，升温速率5~20℃min，随炉冷却，保护气氛为氢气或氨分解氢，露点≤-30℃； 6将退火处理后的铜带进行室温精轧； 7将精轧后的铜带依次进行酸洗、清洗、研磨、抛光、清洗、热风烘干即得。
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