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龙图腾网获悉兰州理工大学申请的专利一种接触与非接触状态下纳米半导体界面热导调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120356534B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510438706.4，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权一种接触与非接触状态下纳米半导体界面热导调控方法是由董赟;张鑫;程浩;黄梦萍;邓蓉;闫连嘉设计研发完成，并于2025-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种接触与非接触状态下纳米半导体界面热导调控方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种接触与非接触状态下纳米半导体界面热导调控方法，包括以下步骤：⑴建立由热区域A和冷区域B组成的分子动力学热输运模型；⑵执行分子动力学模拟与数据处理：在接触状态和非接触状态下比较不同扭转角度下的界面热导，以确定界面热导对扭转角度的依赖关系；在接触状态下，比较不同扭转角度下接触界面处声子态密度的重叠面积，确定声子态密度的重叠面积对不同界面扭转角度热输运的影响；在非接触状态下，比较不同扭转角度下的界面相互作用势和LJ势的力常数，确定力常数对不同界面扭转角度状态热输运的影响。本发明通过调控扭转角度、法向载荷和势阱深度，实现了对ITC的有效调控，为纳米器件的热管理提供了重要基础。

本发明授权一种接触与非接触状态下纳米半导体界面热导调控方法在权利要求书中公布了：1.一种接触与非接触状态下纳米半导体界面热导调控方法，包括以下步骤： ⑴建立由热区域A和冷区域B组成的分子动力学热输运模型，其中A、B分别代表硅-硅和锗-锗，且两种材料具有相同晶格结构； 所述热区域A包含硅或锗传热原子区、热源和刚体，并在x、y、z方向上设置非周期性边界条件； 所述冷区域B包含硅或锗传热原子区、冷源和固定层； 所述刚体和所述固定层分别由单个晶胞组成，并分别设置在模型z方向的两端； 所述热区域A与所述冷区域B之间形成传热界面； 在模型两端分别设置Berendsen调温器来调控系统的温度； ⑵执行分子动力学模拟与数据处理： ①在接触状态下，取扭转角度范围为5~45°，硅-硅和锗-锗界面的热源和冷源温度分别设置为320K和280K，比较不同扭转角度下的界面热导，以确定界面热导对扭转角度的依赖关系；并比较不同扭转角度下接触界面处声子态密度的重叠面积，确定声子态密度的重叠面积对不同界面扭转角度热输运的影响； ②在非接触状态下，取扭转角度范围为0~45°，硅-硅和锗-锗界面的热源和冷源温度分别设置为320K和280K，比较不同扭转角度下的界面热导，以确定界面热导对扭转角度的依赖关系；并比较不同扭转角度下的界面相互作用势和LJ势的力常数，确定力常数对不同界面扭转角度状态热输运的影响，进一步揭示非接触状态下不同扭转角度对界面热输运影响的内在原因。

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