中国人民解放军国防科技大学肖调杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利基于电磁场的层状介质探测方法、存储介质及电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120254973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510422835.4,技术领域涉及:G01V3/08;该发明授权基于电磁场的层状介质探测方法、存储介质及电子设备是由肖调杰;易明宽;徐传福;杨博;龚春叶;吴诚堃;甘新标;李胜国;陈旭光;陈新海;刘杰设计研发完成,并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于电磁场的层状介质探测方法、存储介质及电子设备在说明书摘要公布了:本申请提供一种基于电磁场的层状介质探测方法、存储介质及电子设备,包括:获取待测目标的电场数据和磁场数据;据此确定出待测目标的阻抗,以及,确定出待测目标的视电阻率曲线;基于视电阻率,确定出待测目标的当前第一层介质的电阻率值;基于待测目标的视电阻率曲线和当前第一层介质的电阻率值,确定出待测目标的当前第一层介质的厚度;基于当前第一层介质的电阻率值和厚度,对待测目标进行逐层“阻抗剥离”,确定出待测目标的每一层介质的电阻率值和厚度。本方案通过逐层剥离探测目标的各层介质,有效计算出每层介质的厚度与电阻率,实现对探测目标的层状介质探测,具有非接触、无污染、成本低、操作简单、速度快、无需耦合等优点。
本发明授权基于电磁场的层状介质探测方法、存储介质及电子设备在权利要求书中公布了:1.一种基于电磁场的层状介质探测方法,其特征在于,包括: 获取待测目标的电场数据和磁场数据; 基于待测目标的电场数据和磁场数据,确定出待测目标的阻抗; 基于待测目标的电场数据和磁场数据,确定出待测目标的视电阻率曲线; 基于视电阻率,确定出待测目标的当前第一层介质的电阻率值; 基于待测目标的视电阻率曲线和当前第一层介质的电阻率值,确定出待测目标的当前第一层介质的厚度; 基于当前第一层介质的电阻率值和厚度,对待测目标进行逐层“阻抗剥离”,确定出待测目标的每一层介质的电阻率值和厚度; 其中,基于当前第一层介质的电阻率值和厚度,对待测目标进行逐层“阻抗剥离”,确定出待测目标的每一层介质的电阻率值和厚度,包括: S1:将所有已计算出的当前第一层介质的电阻率值和厚度作为已知条件,进行阻抗剥离,得到待测目标剩余部分的阻抗; S2:确定出待测目标剩余部分的视电阻率曲线; S3:基于视电阻率,确定出待测目标剩余部分的当前第一层介质的电阻率值; S4:基于待测目标剩余部分的视电阻率曲线和当前第一层介质的电阻率值,确定出待测目标剩余部分的当前第一层介质的厚度; S5:循环运行步骤S1~S4,直到求解出待测目标的每一层介质的电阻率值和厚度; S1中:待测目标剩余部分的阻抗满足: 其中,Zm为待测目标中第m层的顶面阻抗,Zm+1为待测目标中第m层的底面阻抗,同时为待测目标中第m+1层的顶面阻抗,m∈[1,N],N为待测目标的层状介质总层数,N≥2;Z0m为第m层的特征阻抗,km为第m层的复波数,hm为第m层的厚度。
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