北京青耘科技有限公司赵如月获国家专利权
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龙图腾网获悉北京青耘科技有限公司申请的专利堆叠型存储芯片及芯片内部上电方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120236623B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510706854.X，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权堆叠型存储芯片及芯片内部上电方法是由赵如月设计研发完成，并于2025-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本堆叠型存储芯片及芯片内部上电方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种堆叠型存储芯片及一种芯片内部上电方法。所述堆叠型存储芯片包括垂向堆叠键合的至少两个存储裸芯，每个存储裸芯包括一一对应的多个存储单元和多个供电单元，每个存储单元具有独立的内部电源信号，每个供电单元用于获得相应存储裸芯的上电信号并向对应的存储单元独立供电，以建立所述内部电源信号的电压，各存储裸芯通过TSV键合通路接收外灌的外部电源信号之后建立对应的上电信号。相较于采用同一套供电系统对同一存储裸芯内的所有存储单元进行同时供电，各存储单元对应的供电单元互不影响，有助于降低功耗和噪声，提高供电可靠性。所述芯片内部上电方法用于对上述堆叠型存储芯片的各存储裸芯上电，可实现各存储裸芯分时上电，有助于确保各存储裸芯的供电可靠性。
本发明授权堆叠型存储芯片及芯片内部上电方法在权利要求书中公布了：1.一种堆叠型存储芯片，其特征在于，包括垂向堆叠键合的至少两个存储裸芯以及连接所述至少两个存储裸芯的TSV键合通路，每个所述存储裸芯包括： 多个存储单元，每个所述存储单元具有独立的内部电源信号；以及 多个供电单元，均连接所在层的所述存储裸芯的上电信号并与所述多个存储单元一一对应连接，每个所述供电单元用于获得相应所述存储裸芯的所述上电信号并向对应的所述存储单元独立供电，以建立所述内部电源信号的电压，其中同层所述存储裸芯的各个存储单元的所述内部电源信号独立； 其中，各所述存储裸芯通过所述TSV键合通路接收外灌的外部电源信号之后建立对应的所述上电信号，每层所述存储裸芯具有对应的一所述上电信号，并且所述上电信号分时提供给所述存储裸芯中所述多个存储单元分别连接的所述多个供电单元。
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