中芯国际集成电路制造(上海)有限公司王维一获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120048792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311598463.8，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置是由王维一;王爱梅设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置在说明书摘要公布了：本申请公开了半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置，该方法包括：提供包括底层金属层、层间介电层、金属硬掩膜层和第一图案化氧化物硬掩膜层的基底，第一图案化氧化物硬掩膜层指示用于形成上层金属层的沟槽的图案；在第一图案化氧化物硬掩膜层上形成平坦化层；在平坦化层上形成定义通孔的图案的第二图案化氧化物硬掩膜层；将第二图案化氧化物硬掩膜层中定义的通孔的图案转移至金属硬掩膜层中以形成第一图案化金属硬掩膜层；基于第一图案化氧化物硬掩膜层和第一图案化金属硬掩膜层，在层间介质层中形成沟槽和通孔。本申请提高了对于通孔在非自对准方向上关键尺寸的控制精确性，避免了通孔与底层金属间的桥接。
本发明授权半导体结构的形成方法、半导体结构及电子装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括层叠设置的底层金属层、层间介电层、金属硬掩膜层和第一图案化氧化物硬掩膜层；所述第一图案化氧化物硬掩膜层中形成有多个暴露所述金属硬掩膜层上表面的第一开口，多个所述第一开口指示用于形成所述金属硬掩膜层的沟槽的图案； 在所述第一图案化氧化物硬掩膜层上形成平坦化层，所述平坦化层填充多个所述第一开口并覆盖所述第一图案化氧化物硬掩膜层的上表面； 在所述平坦化层上形成第二图案化氧化物硬掩膜层，所述第二图案化氧化物硬掩膜层中定义通孔的图案； 将所述第二图案化氧化物硬掩膜层中定义的通孔的图案转移至所述金属硬掩膜层中，以形成第一图案化金属硬掩膜层； 基于所述第一图案化氧化物硬掩膜层和所述第一图案化金属硬掩膜层，在所述层间介电层中形成所述沟槽和所述通孔；所述沟槽的底部与所述通孔的顶部相连通。
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